[发明专利]一种高精度高线性度的互电容变化检测电路在审
申请号: | 201710299722.5 | 申请日: | 2017-05-02 |
公开(公告)号: | CN106932653A | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 赵文虎;管志强;邓礼君 | 申请(专利权)人: | 苏州芯通微电子有限公司 |
主分类号: | G01R27/26 | 分类号: | G01R27/26;G06F3/044 |
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地址: | 215123 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高精度 线性 电容 变化 检测 电路 | ||
1.本发明公布了一种高精度高线性度的互电容变化检测电路,该检测电路包括:比较器,电压跟随器,内部电容调整阵列,ADC电容阵列,参考电容Cb,采样电容Cs,控制逻辑,开关和待测的互电容这九个部分。
2.如权利要求1所述的高精度高线性度的互电容变化检测电路,其特征在于:采用电容分压的方式,得到表征待测的互电容的电压;通过电压跟随器、参考电容Cb和开关,将表征待测的互电容的电压以电荷的方式存储到采样电容Cs;调节ADC电容阵列,使ADC电容阵列的电压逐次逼近采样电容Cs的电压;ADC电容阵列的电容值的函数,就可以表征待测的互电容的电容值;待测的互电容发生变化,则ADC电容阵列的电容值会发生相应变化;通过ADC电容阵列的电容值的变化,可以表征待测的互电容的变化。
3.如权利要求1所述的高精度高线性度的互电容变化检测电路,其特征在于:ADC电容阵列和内部电容调整阵列构成电容分压电路,待测的互电容和参考电容Cb也构成电容分压电路;内部电容调整阵列包括校准电容阵列和参考电容Ca;校准电容阵列用于调整内部电容调整阵列与参考电容Cb的比例关系;内部电容调整阵列一端与ADC电容阵列相连,另一端接固定电平,该固定电平可以接地或者接其他电平。
4.如权利要求1所述的高精度高线性度的互电容变化检测电路,其特征在于:内部电容调整阵列和参考电容Cb之间,存在比例关系,且比例可调。
5.如权利要求1所述的高精度高线性度的互电容变化检测电路,其特征在于:测量互电容变化的步骤如下:将待测互电容的Tx端充电到固定电压Vldo;待测互电容和参考电容Cb组成的电容分压电路产生表征待测互电容的待测电压;通过电压跟随器,将采样电容Cs充电到待测电压;待测电压以电荷的方式存储在采样电容Cs上;将ADC电容阵列的上极板充电到固定电压Vldo,调节ADC电容阵列,使ADC电容阵列和内部电容调整阵列的分压逐次逼近采样电容Cs上的待测电压;ADC电容阵列逐次逼近完成,此时的ADC电容阵列的电容值的函数,用于表征待测互电容的电容值;将此时ADC电容阵列的电容值与之前获取的ADC电容阵列的电容值进行比较,即可得到互电容的变化量。
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