[发明专利]一种高精度高稳定性的自电容检测电路

权利要求书

1.本文明公布了一种高精度高稳定性的自电容检测电路，该检测电路包括：比较器，电压跟随器，内部电容调整阵列，比例电容A，比例电容B，控制逻辑，采样电容Cs，开关和待测自电容Cx这九个部分。

2.如权利要求1所述的高精度高稳定性的自电容检测电路，其特征在于：采用电容分压的方式，得到表征待测自电容的电压，将待测自电容的电容值转换为待测电压；采用电压跟随器，采样电容Cs和开关，将表征待测自电容的电压以电荷的方式存储到采样电容Cs；调节内部电容调整阵列，使内部电容调整阵列的电压逐次逼近采样电容Cs的电压；内部电容调整阵列的电容值的函数，就可以表征待测自电容的电容值。

3.如权利要求1所述的高精度高稳定性的自电容检测电路，其特征在于：比例电容A和内部电容调整阵列构成一个电容分压电路，比例电容B和待测自电容Cx构成另一个电容分压电路；内部电容调整阵列包括校准电容阵列和检测电容阵列；校准电容阵列中的最小电容比检测电容阵列的最小电容大；内部电容调整阵列一端与比例电容A相连，另一端固定电平，该固定电平可以接地或者接其他电平；内部电容调整阵列的逐次逼近操作包括校准电容阵列的逐次逼近和检测电容阵列的逐次逼近，其中，先进行校准电容阵列的逐次逼近再进行检测电容阵列的逐次逼近。

4.如权利要求1所述的高精度高稳定性的自电容检测电路，其特征在于：与内部电容调整阵列相连的比例电容A和与待测自电容相连的比例电容B之间，存在比例关系，且比例可调。

5.如权利要求1所述的高精度高稳定性的自电容检测电路，其特征在于：测量自电容的步骤如下：将与待测自电容Cx相连的比例电容B，充电到固定电压Vldob；待测自电容Cx和比例电容B组成的电容分压电路产生表征待测自电容的待测电压；通过电压跟随器，将采样电容Cs充电到待测电压；断开电压跟随器和采样电容Cs之间的连接，待测自电压以电荷的方式存储在采样电容Cs上；将与内部电容调整阵列相连的比例电容A充电到固定电压Vldoa，调节内部电容调整阵列，使比例电容A和内部电容调整阵列的分压逐次逼近采样电容Cs上的待测电压；内部电容调整阵列逐次逼近完成，此时的内部电容调整阵列的电容值的函数，用于表征待测自电容的电容值。