[发明专利]凹部的填埋方法

说明书

提供能够在微细的凹部不产生空隙、缝地填入氮化膜的凹部的填埋方法。重复进行成膜原料气体吸附工序和氮化工序从而在凹部内形成氮化膜而填埋凹部，所述成膜原料气体吸附工序：使表面形成有凹部的被处理基板吸附含有想要成膜的氮化膜的构成元素的成膜原料气体；所述氮化工序：通过活化氮化气体而生成的氮化物种，使前述吸附的成膜原料气体氮化，此时将形成氮化膜的期间的至少一部分设为自下而上生长期间，在该自下而上生长期间，以气相状态供给能够吸附于被处理基板的表面的高分子材料，使之吸附于凹部的上部，阻碍成膜原料气体的吸附，使氮化膜自凹部的底部生长。

技术领域

本发明涉及对于凹部填入氮化膜的凹部的填埋方法。

背景技术

在半导体设备的制造程序中，存在对于硅晶圆所代表的半导体晶圆形成氮化硅膜(SiN膜)等氮化膜作为绝缘膜的成膜处理。在这样的SiN膜的成膜处理中，使用化学蒸镀法(CVD法)。

在沟槽内通过CVD法填入SiN膜(CVD－SiN)的情况下，有时会产生空隙、缝，该情况下采取如下方法：进行凹蚀直至产生空隙、缝的部位为止，再度利用CVD法形成SiN膜。

然而，最近随着设备的微细化发展，CVD－SiN中，阶梯覆盖(step coverage)不充分，即便通过上述手法也难以抑制空隙、缝的产生。

作为相比于CVD法能够以良好的阶梯覆盖形成膜的技术，已知有原子层沉积法(ALD法)(例如，专利文献1)；在微细沟槽内填入SiN膜时也可以使用ALD法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-351689号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，随着设备微细化发展，即便利用ALD法也难以在防止空隙、缝的状态下填入SiN膜。

因此，本发明的课题在于，提供能够在微细的凹部不产生空隙、缝地填入氮化膜的凹部的填埋方法。

用于解决问题的方案

为了解决上述课题，本发明的第一观点在于提供凹部的填埋方法，其特征在于，重复进行成膜原料气体吸附工序和氮化工序，从而在凹部内形成氮化膜而填埋凹部，所述成膜原料气体吸附工序：使表面形成有凹部的被处理基板吸附含有想要成膜的氮化膜的构成元素的成膜原料气体；所述氮化工序：通过活化氮化气体而生成的氮化物种，使前述吸附的成膜原料气体氮化，所述方法中，将形成前述氮化膜的期间的至少一部分设为自下而上(bottom up)生长期间，在该期间，以气相状态供给能够吸附于被处理基板的表面的高分子材料，使之吸附于前述凹部的上部，从而阻碍前述成膜原料气体的吸附，使氮化膜自前述凹部的底部生长。

将形成前述氮化膜的最初的期间设为保形氮化膜形成期间，将其后的期间设为前述自下而上生长期间，在所述保形氮化膜形成期间，在不供给前述高分子材料的条件下重复进行前述成膜原料气体吸附工序和前述氮化工序，从而形成保形氮化膜。所述自下而上生长期间依次重复如下工序来进行：前述成膜原料气体吸附工序、前述氮化工序、以及使前述高分子材料吸附于前述凹部的上部的高分子材料吸附工序。