[发明专利]存储单元及存储阵列

权利要求书

1.一种存储单元，其特征在于，包括：

读取选择晶体管，具有第一端耦接于位线，第二端，控制端耦接于字符线，及基极端耦接于源极线；

第一浮接栅极晶体管，具有第一端耦接于所述读取选择晶体管的所述第二端，第二端耦接于所述源极线，及基极端耦接于所述源极线；

写入选择晶体管，具有第一端耦接于清除控制线，第二端，控制端耦接于操作控制线，及基极端耦接于所述清除控制线；

第二浮接栅极晶体管，具有第一端耦接于所述写入选择晶体管的所述第二端，第二端，及基极端耦接于所述清除控制线；及

共同浮接栅极，耦接于所述第一浮接栅极晶体管及所述第二浮接栅极晶体管。

2.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于所述第一浮接栅极晶体管的第一氧化扩散层与所述共同浮接栅极相重迭的第一重迭区域大于所述第二浮接栅极晶体管的第二氧化扩散层与所述共同浮接栅极相重迭的第二重迭区域。

3.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于所述读取选择晶体管，所述第一浮接栅极晶体管，所述写入选择晶体管，及所述第二浮接栅极晶体管是由P型金氧半晶体管形成。

4.如权利要求3所述的存储单元，其特征在于：

所述读取选择晶体管及所述第一浮接栅极晶体管是形成在第一N型井；及

所述写入选择晶体管及所述第二浮接栅极晶体管是形成在第二N型井。

5.如权利要求3所述的存储单元，其特征在于在所述存储单元的写入操作期间：

所述源极线是处在第一电压；

所述位线是处在所述第一电压；

所述字符线是处在所述第一电压；

所述操作控制线是处在第二电压；及

所述清除控制线是处在第三电压；

其中所述第三电压大于所述第二电压，且所述第二电压大于所述第一电压。

6.如权利要求5所述的存储单元，其特征在于在所述存储单元的读取操作期间：

所述源极线是处在第四电压；

所述位线是处在第五电压；

所述字符线是处在所述第一电压；

所述操作控制线是处在所述第一电压；及

所述清除控制线是处在所述第一电压；

其中所述第二电压大于所述第四电压，所述第四电压大于所述第五电压，

且所述第五电压大于所述第一电压。

7.如权利要求3所述的存储单元，其特征在于在所述存储单元的清除操作期间：

所述源极线是处在第三电压；

所述位线是处在第二电压；

所述字符线是处在所述第三电压；

所述操作控制线是处在第一电压或所述第二电压；及

所述清除控制线是处在所述第一电压；

其中所述第三电压大于所述第二电压，且所述第二电压大于所述第一电压。

8.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于所述读取选择晶体管、所述第一浮接栅极晶体管、所述写入选择晶体管及所述第二浮接栅极晶体管是由N型金氧半晶体管形成。

9.如权利要求8所述的存储单元，其特征在于：

所述读取选择晶体管及所述第一浮接栅极晶体管是形成在第一P型井；

所述写入选择晶体管及所述第二浮接栅极晶体管是形成在第二P型井；及

所述第一P型井及所述第二P型井是设置在深N型井。