[发明专利]有机发光二极管及其制作方法、像素结构及其制作方法在审
| 申请号: | 201710283547.0 | 申请日: | 2017-04-26 |
| 公开(公告)号: | CN108807698A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
| 发明(设计)人: | 张东煜;陈文斌;苏文明;郭文瑞 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
| 地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 空穴注入层 有机发光层 有机发光二极管 像素结构 轨道能级 功函数 匹配 阴极 电子传输层 阳极 叠层 合理选择材料 红色子像素 蓝色子像素 绿色子像素 颜色子像素 发光性能 依次排列 制作过程 子像素 制作 打印 | ||
本发明公开了一种有机发光二极管,包括依次叠层设置的阳极、空穴注入层、有机发光层、电子传输层和阴极;空穴注入层的功函数与有机发光层的最高占有轨道能级相匹配。本发明还公开了一种像素结构,包括依次排列的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,每一种颜色的子像素包括依次叠层设置的阳极、空穴注入层、有机发光层、电子传输层和阴极;在每一种颜色子像素中,空穴注入层的功函数与有机发光层的最高占有轨道能级均相匹配。本发明提供的有机发光二极管及像素结构在制作过程中通过合理选择材料及打印工艺,实现了空穴注入层的材料的功函数与有机发光层的材料的最高占有轨道能级相匹配,使得该有机发光二极管以及像素结构能实现优异的发光性能。
技术领域
本发明属于发光二极管技术领域,具体来讲,涉及一种有机发光二极管及其制作方法、以及一种像素结构及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)因其自发光、高对比度、低功耗、广视角、响应时间短、可制备柔性器件等诸多优点,被认为是取代液晶显示(LCD)的第三代显示技术。OLED是一种具有“三明治”结构的叠层电致发光器件,其结构一般包括阳极、空穴注入(传输)层、有机发光层、电子传输层和阴极。其中,空穴注入层与有机发光层之间的能级差决定了空穴注入的难度。一般地,空穴注入层材料的功函数与有机发光层材料的最高占有轨道能级差愈小,则二者的能级愈加匹配,空穴注入就愈加容易,器件性能就相对愈好。
近年来,被广泛使用的OLED空穴注入层材料是聚(3,4-乙撑二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(简称PEDOT:PSS),其功函数最高可达5.2eV,水平电导率可达130S/cm。但是,对于最高占有轨道(HOMO)能级较深(一般指HOMO能级在5.5eV~6.2eV)的有机发光层材料来说,PEDOT:PSS与它们相对较大的能级差会极大阻碍空穴的有效注入。同时,在制备RGB多色像素阵列的有机发光层时,传统的旋涂法制备的PEDOT:PSS薄膜在大面积旋涂时会出现像素坑内膜厚不均匀的问题,造成显示像素发光不均匀,而且旋涂法也无法用于制备RGB多色像素阵列的有机发光层。
发明内容
为解决上述现有技术存在的问题,本发明提供了一种有机发光二极管及其制作方法、以及一种像素结构及其制备方法,该有机发光二极管通过控制制备工艺从而在阳极上沉积新型材料作为空穴注入层,满足了空穴注入层的材料的功函数与有机发光层的材料的最高占有轨道能级相互匹配;同时,该像素结构通过合理的选择材料及工艺控制从而满足了每一种颜色的子像素坑中空穴注入层的材料的功函数与其对应的有机发光层的材料的最高占有轨道能级均相互匹配,有效提高了有机发光二极管以及像素结构的发光光效。
为了达到上述发明目的,本发明采用了如下的技术方案:
一种有机发光二极管,包括依次叠层设置的阳极、空穴注入层、有机发光层、电子传输层和阴极;所述空穴注入层的材料的功函数与所述有机发光层的材料的最高占有轨道能级相匹配;其中,所述有机发光层的材料为聚合物发光材料或分子量不超过1000的有机小分子发光材料。
进一步地,所述有机发光层的材料的最高占有轨道能级为5.5eV~6.2eV,所述空穴注入层的材料的功函数为5.5eV~6.0eV。
进一步地,所述空穴注入层的材料为聚(3,4-乙撑二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸-全氟化离子交联聚合物。
进一步地,在所述聚(3,4-乙撑二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸-全氟化离子交联聚合物中,三种单体聚(3,4-乙撑二氧噻吩)、聚苯乙烯磺酸和全氟化离子交联聚合物的质量之比为1:6:1~30。
进一步地,所述有机发光层的材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯:乙酰丙酮酸二(2-苯基苯并噻唑-C2,N)合铱、聚[2-(4-(3',7'-二甲基辛氧基)-苯基)-对苯撑乙烯]、4,4'-二(9-咔唑)联苯:三(1-苯基异喹啉-C2,N)合铱、4,4'-二(9-咔唑)联苯:三(2-苯基吡啶-C2,N)合铱、4,4'-二(9-咔唑)联苯:双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱中的任意一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





