[发明专利]有机发光二极管及其制作方法、像素结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201710283547.0 申请日: 2017-04-26
公开(公告)号: CN108807698A 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 张东煜;陈文斌;苏文明;郭文瑞 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 空穴注入层 有机发光层 有机发光二极管 像素结构 轨道能级 功函数 匹配 阴极 电子传输层 阳极 叠层 合理选择材料 红色子像素 蓝色子像素 绿色子像素 颜色子像素 发光性能 依次排列 制作过程 子像素 制作 打印
【权利要求书】:

1.一种有机发光二极管,包括依次叠层设置的阳极、空穴注入层、有机发光层、电子传输层和阴极;其特征在于,所述空穴注入层的材料的功函数与所述有机发光层的材料的最高占有轨道能级相匹配;其中,所述有机发光层的材料为聚合物发光材料或分子量不超过1000的有机小分子发光材料。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其特征在于,所述有机发光层的材料的最高占有轨道能级为5.5eV~6.2eV,所述空穴注入层的材料的功函数为5.5eV~6.0eV。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管,其特征在于,所述空穴注入层的材料为聚(3,4-乙撑二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸-全氟化离子交联聚合物。

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管,其特征在于,在所述聚(3,4-乙撑二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸-全氟化离子交联聚合物中,三种单体聚(3,4-乙撑二氧噻吩)、聚苯乙烯磺酸和全氟化离子交联聚合物的质量之比为1:6:1~30。

5.根据权利要求4所述的有机发光二极管,其特征在于,所述有机发光层的材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯:乙酰丙酮酸二(2-苯基苯并噻唑-C2,N)合铱、聚[2-(4-(3',7'-二甲基辛氧基)-苯基)-对苯撑乙烯]、4,4'-二(9-咔唑)联苯:三(1-苯基异喹啉-C2,N)合铱、4,4'-二(9-咔唑)联苯:三(2-苯基吡啶-C2,N)合铱、4,4'-二(9-咔唑)联苯:双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱中的任意一种。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管,其特征在于,当所述有机发光层的材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯:乙酰丙酮酸二(2-苯基苯并噻唑-C2,N)合铱、4,4'-二(9-咔唑)联苯:三(1-苯基异喹啉-C2,N)合铱、4,4'-二(9-咔唑)联苯:三(2-苯基吡啶-C2,N)合铱、4,4'-二(9-咔唑)联苯:双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱中的任意一种时,在所述聚(3,4-乙撑二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸-全氟化离子交联聚合物中,三种单体聚(3,4-乙撑二氧噻吩)、聚苯乙烯磺酸和全氟化离子交联聚合物的质量之比为1:6:25.4;

当所述有机发光层的材料为聚[2-(4-(3',7'-二甲基辛氧基)-苯基)-对苯撑乙烯],在所述聚(3,4-乙撑二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸-全氟化离子交联聚合物中,三种单体聚(3,4-乙撑二氧噻吩)、聚苯乙烯磺酸和全氟化离子交联聚合物的质量之比为1:6:1.6。

7.一种如权利要求1-6任一所述的有机发光二极管的制作方法,其特征在于,包括:

在基板上制作阳极;

按照远离所述阳极的方向,在所述阳极上依次打印空穴注入层和有机发光层;

按照远离所述阳极的方向,在所述有机发光层上依次制作电子传输层和阴极。

8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,采用气溶胶打印工艺或喷墨打印工艺,在所述阳极上依次打印所述空穴注入层和所述有机发光层。

9.一种像素结构,包括依次排列的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,每一种颜色的子像素分别包括依次叠层设置的阳极、空穴注入层、有机发光层、电子传输层和阴极;其特征在于,在每一种颜色的子像素中,空穴注入层的材料的功函数与有机发光层的材料的最高占有轨道能级相匹配;

其中,在所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中,有机发光层的材料均选自聚合物发光材料或分子量不超过1000的小分子发光材料。

10.根据权利要求9所述的像素结构,其特征在于,在所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中,所述有机发光层的材料的最高占有轨道能级均为5.5eV~6.2eV,所述空穴注入层的材料的功函数均为5.5eV~6.0eV。

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