[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在基板中形成间隔开的第一掺杂区和第二掺杂区；

在所述基板上形成绝缘层以限定暴露所述第二掺杂区的开口；

去除所述基板的通过所述开口暴露的一部分以形成位线节点接触孔，所述位线节点接触孔被形成为具有低于所述基板的顶表面的底表面；

形成位线和位线节点接触插塞，所述位线和所述位线节点接触插塞分别提供在所述绝缘层上和所述位线节点接触孔中；

在所述位线节点接触孔中形成间隔物以覆盖所述位线的侧壁和所述位线节点接触插塞的侧壁；以及

形成电连接到所述第一掺杂区的存储节点接触插塞，

其中所述位线和所述位线节点接触插塞通过所述间隔物与所述存储节点接触插塞间隔开，并且

其中所述间隔物包括由关于自然氧化物层具有蚀刻选择性的材料形成的蚀刻停止图案。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述间隔物包括：

形成所述蚀刻停止图案以填充所述位线节点接触孔的至少一部分；

形成第一子间隔物以覆盖所述位线的侧壁；以及

形成第二子间隔物以覆盖所述第一子间隔物的侧壁并且与所述蚀刻停止图案的顶表面接触。

3.如权利要求1所述的方法，其中形成所述存储节点接触插塞包括：

去除所述绝缘层的邻近于所述间隔物的至少一部分以形成暴露所述第一掺杂区的存储节点接触孔；

从所述存储节点接触孔去除自然氧化物层；以及

形成存储节点接触插塞以填充所述存储节点接触孔。

4.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述基板中形成器件隔离层以限定包括所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的有源区，

其中所述位线节点接触孔延伸到所述器件隔离层的邻近于第二掺杂区的一部分。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层由硅氧化物层、硅氮化物层和硅氮氧化物层中的至少一个形成。

6.一种半导体器件，包括：

基板；

在所述基板中的第一掺杂区和第二掺杂区；

在所述基板上的绝缘图案；

位线节点接触孔，穿过所述绝缘图案在所述基板中的所述第二掺杂区中延伸，所述位线节点接触孔具有低于所述基板的顶表面的底表面；

在所述位线节点接触孔中的位线节点接触插塞；

电连接到所述第一掺杂区的存储节点接触插塞；

间隔物，在所述位线节点接触插塞和所述存储节点接触插塞之间的所述位线节点接触孔中；以及

在所述绝缘图案和所述位线节点接触插塞上的位线，

其中所述间隔物覆盖所述位线的侧壁和所述位线节点接触插塞的侧壁，所述间隔物包括由关于自然氧化物具有蚀刻选择性的材料形成的蚀刻停止图案。

7.如权利要求6所述的器件，其中所述绝缘图案包括硅氧化物层、硅氮化物层和硅氮氧化物层中的至少一个。

8.如权利要求6所述的器件，其中所述间隔物包括硅氮化物层。

9.如权利要求6所述的器件，其中所述间隔物的所述蚀刻停止图案被插置在所述位线节点接触插塞和所述存储节点接触插塞之间，并且所述间隔物还包括被插置在所述存储节点接触插塞和所述位线节点接触插塞上的所述位线之间的另一部分。

10.如权利要求6所述的器件，还包括在所述基板中的器件隔离层，所述器件隔离层限定包括所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的有源区，

其中所述位线节点接触孔延伸到所述器件隔离层的邻近于所述第二掺杂区的一部分。

11.如权利要求6所述的器件，其中所述间隔物的所述蚀刻停止图案至少与所述存储节点接触插塞接触，

其中所述蚀刻停止图案具有从所述存储节点接触插塞朝向所述位线节点接触插塞上的所述位线向上延伸的凹入的弯曲上表面。