[发明专利]一种坩埚轴升降装置有效
申请号: | 201710272634.6 | 申请日: | 2017-04-24 |
公开(公告)号: | CN108728896B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 赵向阳;陈强;肖祥凯 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 余昌昊 |
地址: | 201306 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 坩埚 升降 装置 | ||
本发明提供了一种坩埚轴升降装置,用于驱动坩埚轴进行升降运动,所述升降装置包括:一驱动部件、一底盘以及至少两个升降部件,所述驱动部件与所述至少两个升降部件连接,用于驱动所述至少两个升降部件;所述至少两个升降部件与所述底盘连接,用于驱动所述底盘进行升降运动;所述底盘,用于与坩埚轴连接。在本发明提供的坩埚轴升降装置中,利用至少两个升降部件来驱动坩埚轴的上升或下降,从而使坩埚轴在驱动过程中更稳定。
技术领域
本发明涉及机械设计技术领域,特别涉及一种坩埚轴升降装置。
背景技术
半导体硅片需要有很高质量的硅单晶,但在硅单晶生长的任何阶段都有可能发生位错或断晶线现象(晶体由单晶变为多晶)。硅单晶出现位错,断晶线的原因可能有:1.熔体中有过多的杂质;2.硅单晶生长中的温场不够稳定和合理,使晶体不能稳定生长;3.单晶硅提拉炉的机械传动装置的不稳定运行等。
熔体中的杂质可以选用高纯多晶硅原料,高纯石英坩埚,合理的氩气流场,更高纯更合理的热场材料等减少;硅单晶生长的热场、温场可以通过合理设计热场得到改善。而机械传动装置的不稳定引起的熔体液面振动却很难得到解决,因为:1.坩埚轴等驱动部件不能完全对中,在硅单晶生长过程中会发生不对称振动;2.循环冷却水,排氩气管、地基等不可避免的振动源。
单晶硅提拉炉的机械传动装置主要在于坩埚轴升降装置,随着硅单晶不断长大,坩埚轴承载的重量不断减小,固有频率不断增大;而厂房外部震动源频率一般在26-100Hz范围内,所以在拉晶过程中易受到外界振动的干扰,并发生共振现象,导致坩埚内液面震动并影响硅单晶生长质量。传统的坩埚轴升降装置只有一个对坩埚轴的支撑点,造成坩埚轴承重不均,固定不对称,从而导致坩埚轴的稳定性较差。
目前硅单晶生长对硅熔体的温度场要求非常高,坩埚轴的不稳定会严重影响熔体的温场,造成单晶生长的失败。为此,急需提供一种稳定的坩埚轴升降装置,以提高硅单晶的质量。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种坩埚轴升降装置,以解决现有的坩埚轴升降装置不稳定的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种坩埚轴升降装置,用于驱动坩埚轴进行升降运动,所述升降装置包括:一驱动部件、一底盘以及至少两个升降部件;
所述驱动部件与所述至少两个升降部件连接,用于驱动所述至少两个升降部件;
所述至少两个升降部件与所述底盘连接,用于驱动所述底盘进行升降运动;
所述底盘,用于与坩埚轴连接。
可选的,所述升降部件为螺杆,所述底盘上具有至少两个螺纹孔,每个螺杆均通过一螺纹孔与所述底盘连接,所述驱动部件驱动所有螺杆同时旋转,从而通过螺纹传动的方式驱动所述底盘进行升降运动。
可选的,还包括传动机构,所述驱动部件通过所述传动机构与每个螺杆连接。
可选的,当所述螺杆的数量为三个时,所述传动机构包括:一第一传动杆、两个第二传动杆及两个第三传动杆;
所述驱动部件与所述第一传动杆连接,两个第二传动杆均与所述第一传动杆连接,每个第二传动杆对应连接一第三传动杆,每个第三传动杆对应连接一螺杆,所述第一传动杆连接一螺杆;
所述驱动部件驱动所述第一传动杆旋转,所述第一传动杆带动两个第二传动杆旋转,第二传动杆带动所连接的第三传动杆旋转,第三传动杆带动所连接的螺杆旋转。
可选的,两个第二传动杆均与所述第一传动杆通过齿轮啮合连接。
可选的,每个第二传动杆均与所连接的第三传动杆通过万向节连接。
可选的,每个第三传动杆均通过蜗轮蜗杆机构与对应的螺杆连接。
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