[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201710265315.2 | 申请日: | 2017-04-21 |
公开(公告)号: | CN108735777B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 郑百乔;朱夏青;李冠锋;刘敏钻;陈培杰 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
基板,包含显示区与周边区,所述周边区邻设于所述显示区;
第一参考电压线,设置于所述基板上且位于所述周边区,所述第一参考电压线沿第一方向延伸,其中所述第一参考电压线具有接触部和第一覆盖部,所述第一覆盖部位于所述接触部与所述显示区之间;
第一绝缘层,设置于所述第一参考电压线上,所述第一绝缘层具有一凹槽,所述凹槽沿所述第一方向延伸,所述凹槽暴露出所述接触部,且所述第一绝缘层覆盖所述第一覆盖部;以及
第二参考电压线,设置于所述第一参考电压线上且位于所述周边区,所述第二参考电压线沿所述第一方向延伸并与所述第一参考电压线至少部分重叠,所述第二参考电压线在所述凹槽与所述第一参考电压线的所述接触部接触而具有接触面;
其中,第二方向与所述第一方向垂直,所述接触面在所述第二方向上具有的一第一宽度为W1微米,所述第一参考电压线在所述第二方向上具有的第二宽度为W2微米,所述第一覆盖部在所述第二方向上具有的一第三宽度为W3微米,所述W1、所述W2和所述W3符合关系式:
1微米≤W1≤(W2–W3),且所述W3大于0且小于W2/3。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一参考电压线具有第一厚度,所述第二参考电压线具有第二厚度,所述第一厚度大于所述第二厚度。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括第二绝缘层,设置于所述第一参考电压线与所述基板之间,所述第二绝缘层具有一通孔,其中部分的所述第一参考电压线与部分的所述第二参考电压线设置于所述通孔中,至少部分的所述通孔与所述凹槽重叠。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第二参考电压线具有第一侧边,所述凹槽的底部具有第二侧边,且所述第一侧边和所述第二侧边位于所述凹槽的同侧且邻近于所述显示区,其中所述第一侧边位于所述第二侧边和所述显示区之间。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,至少部分的所述第一侧边或至少部分的所述第二侧边为曲线。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包含多数条第三参考电压线,设置于所述第一绝缘层上,所述多数条第三参考电压线分别与所述第二参考电压线连接并自所述周边区延伸到所述显示区,且所述多数条第三参考电压线分别沿所述第二方向延伸。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述第二参考电压线在所述第二方向上的线宽大于所述多数条第三参考电压线中至少一个在所述第一方向上的线宽。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述凹槽在所述第一方向上具有一凹槽长度,所述多数条第三参考电压线的相邻两条间隔第一距离,所述凹槽长度大于所述第一距离。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一绝缘层具有多个凹槽。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述多个凹槽的其中两个的大小不同。
11.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述多个凹槽的其中一个的侧边包括一曲线。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一参考电压线还包括一第二覆盖部,所述第一覆盖部与所述第二覆盖部被所述第一绝缘层覆盖并位于所述接触部的相对两侧。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群创光电股份有限公司,未经群创光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710265315.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的