[发明专利]一种气浮基台及喷墨打印装置有效
申请号: | 201710265048.9 | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN107104071B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 张杨扬;肖昂 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 气浮基台 喷墨 打印 装置 | ||
本发明实施例提供一种气浮基台及喷墨打印装置,涉及薄膜封装工艺技术领域,能够解决现有封装工艺过程中,悬浮于气浮基台并在气浮基台上的工艺基台和承接基台之间移动的待封装基板的平坦度较差的问题。气浮基台包括工艺基台;承接基台,设置在工艺基台的待封装基板移动方向的两侧,承接基台与工艺基台的水平高度相同且相互连接;其中,在工艺基台和承接基台的表面均布设置有送气管道和吸气管道。
技术领域
本发明涉及薄膜封装工艺技术领域,尤其涉及一种气浮基台及喷墨打印装置。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)具有超薄性、全固态、高发光亮度和效率、优异的色彩饱和度以及宽视角、快速响应、应用温度范围大(-40°~70°)等特点,在显示技术领域具有广阔的应用前景。但是,空气中的水汽和氧气一旦进入有机电致发光器件内部,会与有机电致发光器件内部的金属电极和有机物材料发生一系列的反应并释放出气体,一方面,这样会影响电荷的注入;另一方面,这一系列反应释放出的气体会在有机电致发光器件内部形成气泡,导致有机电致发光器件性能的下降。这就需要对制作完成的有机电致发光器件进行封装,使有机电致发光器件与外界空气和水汽之间隔绝,以避免上述反应发生对有机电致发光器件的性能和寿命产生不利的影响。薄膜封装技术(TFE)作为一种显示器件的封装技术,与其他现有的封装技术相比,由于能够减轻显示器件的重量和厚度,大大降低成本,而且稳定性强,已经越来越广泛的在显示器件的封装工艺中应用。
在显示器件的封装工艺过程中,为了防止待封装基板与承载基台之间摩擦产生并累积静电而在待封装基板上发生静电击穿等不良现象,现有技术中,通常采用气浮基台(Floating Glass Stage)来承接待封装基板,并在喷墨打印装置中完成整个薄膜封装的工艺过程。如图1所示,现有的气浮基台中,通常包括工艺基台10以及工艺基台10两侧的承接基台20,待封装基板30通过一侧的承接基台20送入工艺基台10,在工艺基台10部分完成封装操作后,再通过承接基台20移出装置。在承接基台20和工艺基台10的基台表面上均布加工有送气管道40,通过向送气管道40内输送气体,送气管道40向上吹出气体推动以使得待封装基板30能够悬浮于气浮基台上而不与气浮基台表面相接触,此外,在工艺基台10的基台表面,除了均布加工的送气管道40以外,还均布加工有吸气管道50,在送气管道40吹出的气体将待封装基板30向上推动并悬浮的同时,由于吸气管道50的吸力作用,能够使悬浮的待封装基板30在工艺基台10内进行工艺操作的过程中,悬浮的位置较为稳定,从而提高工艺精度。
在气浮基台上进行喷墨打印的工艺过程中,待封装基板30需要在承接基台20和工艺基台10之间根据喷墨打印位置的变化来回移动,但是由于在承接基台20内仅有用于将待封装基板30吹起悬浮的送气管道40,而在工艺基台10内还包括有吸气管道50,如图1中的气流箭头所示,这样就会由于待封装基板30在承接基台20与在工艺基台10内受力不均衡导致待封装基板30在承接基台20与在工艺基台10的悬浮高度不同。在对待封装基板30在承接基台20与工艺基台10之间的悬浮高度进行人工调平和校准的过程中,难以避免的会产生调节和计算的误差,这就会导致待封装基板30在气浮基台上来回运动的过程中平坦度较差,从而使得在封装工艺完成后,显示面板上极容易出现Mura不良等显示不良的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种气浮基台及喷墨打印装置,能够解决现有封装工艺过程中,悬浮于气浮基台并在气浮基台上的工艺基台和承接基台之间移动的待封装基板的平坦度较差的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例的一方面,提供一种气浮基台,包括工艺基台;承接基台,设置在工艺基台的待封装基板移动方向的两侧,承接基台与工艺基台的水平高度相同且相互连接;其中,在工艺基台和承接基台的表面均布设置有送气管道和吸气管道。
优选的,工艺基台与承接基台为一体结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造