[发明专利]一种扩散低表面浓度提效工艺

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池板制造技术领域，具体为一种扩散低表面浓度提效工艺。

背景技术

车间扩散工艺存在缺陷，造成结深略深，死层偏厚，导致载流子复合加快，导致电性损失；而且扩散工艺温度相对较高，硅片易产生高温带来的热缺陷；为提升转换效率，需要优化当前的生产工艺。

发明内容

本发明的目的在于提供一种扩散低表面浓度提效工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。所述扩散低表面浓度提效工艺具有加强预氧化，优化扩散和推进步时间，低温慢推的特点。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种扩散低表面浓度提效工艺，包括以下步骤，

步骤1)装片送片：将清洗甩干的硅片装入石英舟，将装满硅片的石英舟缓缓推入扩散炉；

步骤2)升温：对石英舟加热，使温度达到775℃-795℃；

步骤3)预氧化：通入O₂进行预氧化，预氧化时间为180-220s，通入的O₂流量为1900-2100sccm；

步骤4)第一次扩散：将炉内温度升高至805℃-815℃，O₂流量调整为500-700sccm，通入N₂-POCl₃且流量为1150-1250sccm，按照设定时间进行扩散，扩散时间为580s-620s；

步骤5)第一次推进：使表面的磷，向硅片体内推进，停止通入O₂与N₂-POCl₃，推进280s-320s；

步骤6)第二次扩散：将炉内温度升高至825℃-835℃，通入O₂及N₂-POCl₃，其流量设置与步骤4)第一次扩散一致，按照设定时间进行扩散，扩散时间为280s-320s；

步骤7)第二次推进：停止通入O₂与N₂-POCl₃，推进480s-520s；

步骤8)降温：通入O₂将流量设为1900-2100sccm，将炉内温度降至基础温度；

步骤9)退舟：停止通入O₂，将石英舟退出扩散炉。

优选的，扩散炉内基础温度为760℃。

优选的，步骤3)预氧化通入的O₂流量控制在2000sccm。

优选的，步骤4)第一次扩散通入的O₂流量控制在600sccm，通入的N₂-POCl₃流量控制在1200sccm。

优选的，步骤7)第二次推进时间为500s。

优选的，第一次扩散与第一次推进炉内温度相同，均为810℃，第二次扩散与第二次推进炉内温度相同，均为830℃。

优选的，每一步骤进行过程中均通入N₂，流量为6000-10000sccm。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：通过增大前氧，加强预氧化，缩短氧化时间，提高生产效率，同时提高扩散前钝化效果；优化扩散、推进步骤、时间及温度，采用低温慢推原理，减少高温带来的热损伤；调整扩散N₂-POCl₃流量，降低硅片表面磷浓度，减少重掺杂效应的禁带收缩，降低死层，减少表面复合；同时改变扩散步O₂流量，减小扩散步O₂对磷扩散的阻碍，提升方阻均匀性，提升转换效率。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供几种技术方案：

实施例1：

步骤1)装片送片：将清洗甩干的硅片装入石英舟，将装满硅片的石英舟缓缓送入扩散炉，送片时间为600s，此时炉内温度为760℃，通入N₂流量为10000sccm，N₂-POCl₃及O₂为0sccm；