[发明专利]一种简易制备六边形CdO/CdS异质结纳米复合材料的方法

权利要求书

1.一种用作降解次甲基蓝的光催化剂的六边形CdO/CdS异质结纳米复合材料的制备方法，包括步骤：

（1）将硝酸镉溶于无水乙醇中，形成硝酸镉乙醇溶液；将氢氧化锂溶于二次蒸馏水中，形成氢氧化锂溶液；所述的硝酸镉与氢氧化锂的摩尔比为 1: 2.4~2.6，在搅拌条件下，将氢氧化锂溶液逐滴加入硝酸镉乙醇溶液中，形成均匀的混合液，继续搅拌50~60min，然后于26~29℃温度下静置5~6h，转移至反应釜中，于180~200℃下反应10~12h；所得产物经洗涤、干燥，得氢氧化镉前驱体；将制得的氢氧化镉前驱体置于马弗炉中，在280~300℃焙烧1.5~2h，得到纳米氧化镉；所述的纳米氧化镉的形貌特征为六边形；边长为260~500 nm，厚度为50~100 nm；

（2）取步骤（1）制得的纳米氧化镉加入硫化钠的水溶液中，使纳米氧化镉与硫化钠的摩尔比为1: 0.4~0.6，于室温下搅拌20~30min，超声分散50~70min，然后置于反应釜中，于170~200℃下反应9~11h；

（3）将步骤（2）的产物经洗涤、干燥后，置于马弗炉中，400~500℃焙烧2h，得到CdO/CdS异质结纳米复合材料；产品形貌特征是由粒径为20~45 nm颗粒组成的六边形纳米片，六边形的边长为250~450nm；其中，CdO为立方晶相，CdS为立方-六方混合晶相。

2.如权利要求1所述的CdO/CdS异质结纳米复合材料的制备方法，其特征在于步骤（1）中所述的硝酸镉与氢氧化锂的摩尔比为1: 2.5。

3.如权利要求1所述的CdO/CdS异质结纳米复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述的洗涤是依次用二次蒸馏水洗涤2~3次、无水乙醇洗涤1次；步骤（1）中所述的干燥，温度为80~85℃，干燥时间为24~30h；氢氧化镉前驱体焙烧温度和时间为300℃焙烧2h。

4.如权利要求1所述的CdO/CdS异质结纳米复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中反应温度为180~190℃，反应时间为9~10h。

5.如权利要求1所述的CdO/CdS异质结纳米复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中反应温度为180℃，反应时间为10h。

6.如权利要求1所述的CdO/CdS异质结纳米复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述的洗涤是依次用二次蒸馏水洗涤2~3次、无水乙醇洗涤1次。

7.如权利要求1所述的CdO/CdS异质结纳米复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述的干燥温度为80~90℃，干燥时间为24~36h。

8.如权利要求1所述的CdO/CdS异质结纳米复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述的干燥温度为80℃，干燥时间为28h。

9.如权利要求1所述的CdO/CdS异质结纳米复合材料的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述的焙烧温度为450℃。

10.如权利要求1所述的CdO/CdS异质结纳米复合材料的制备方法，其特征在于，所述CdO/CdS异质结纳米复合材料形貌特征为：粒径为30~40nm的纳米颗粒组成的六边形纳米片，六边形的边长为350~400nm，厚度为50~60 nm。