[发明专利]发光二极管磊晶结构

说明书

技术领域

本发明是有关于一种发光二极管磊晶结构。

背景技术

发光二极管由于具有高亮度、反应速度快、体积小、污染低、高可靠度、适合量产等优点，因此发光二极管在照明领域或是消费性电子产品的开发应用亦将越来越多，目前已将发光二极管广泛地应用在大型看板、交通信号灯、手机、扫描仪、传真机的光源以及照明装置等。基于上述可知，发光二极管的发光效率以及亮度需求将会越来越受到重视，是故高亮度发光二极管的研究开发将是固态照明应用上的重要课题。

发光二极管已经在某些应用领域中取代荧光灯与白炽灯，而作为例如需求高速反应的扫描器灯源、投影装置的灯源、液晶显示器的背光源或前光源，汽车仪表板上的照明灯源，交通信号的灯源以及一般照明装置的灯源等等。相较于传统灯管，发光二极管具有例如体积较小、使用寿命较长、驱动电压/电流较低、结构强度较高、无汞污染以及高发光效率(节能)等显着优势。

为了进一步改善发光二极管的各项特性，相关领域莫不费尽心思开发。如何能提供一种具有较佳特性的发光二极管，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前相关领域亟需改进的目标。

发明内容

本发明的一技术方案是在提供一种发光二极管磊晶结构，以提升发光二极管磊晶结构的发光强度。

根据本发明一实施方式，一种发光二极管磊晶结构，包含基板、缓冲层、第一半导体层、发光层、中介层、第二半导体层以及接触层。缓冲层设置于基板上。第一半导体层设置于缓冲层上。发光层设置于第一半导体层上。中介层设置于发光层上，其中中介层的材质为P型氮化铝。第二半导体层设置于中介层上，其中第二半导体层的材质为P型氮化铝镓。接触层设置于第二半导体层上。

于本发明的一或多个实施方式中，中介层的厚度小于或等于第二半导体层的厚度。

于本发明的一或多个实施方式中，中介层的厚度为约1nm至约10nm。

于本发明的一或多个实施方式中，第二半导体层的厚度为约10nm至约50nm。

于本发明的一或多个实施方式中，中介层的掺杂浓度小于或等于第二半导体层的掺杂浓度。

于本发明的一或多个实施方式中，中介层的掺杂浓度为约1×10¹⁷(atom/cm³)至约2×10¹⁸(atom/cm³)。

于本发明的一或多个实施方式中，第二半导体层的掺杂浓度为约2×10¹⁸(atom/cm³)至约3×10¹⁹(atom/cm³)。

于本发明的一或多个实施方式中，中介层与第二半导体层为掺杂镁。

于本发明的一或多个实施方式中，中介层的铝重量百分比大于第二半导体层的铝重量百分比。

于本发明的一或多个实施方式中，发光层所发射的光线包含波长小于或等于约280nm的光线。

本发明上述实施方式通过妥善选择中介层与第二半导体层的材质，于是相较于发光层，第二半导体层具有较高的能阶，因此第二半导体层可以有效地阻挡电子而不让电子通过，在此同时，相较于第二半导体层，中介层具有较高的能阶，换句话说，发光层与中介层的能阶差大于发光层与第二半导体层的能阶差，因此中介层将能更进一步地阻挡电子而不让电子通过，因而使电子得以停留在发光层中，进而提升发光层的发光效率。

附图说明

图1绘示依照本发明一实施方式的发光二极管磊晶结构的侧视示意图；

图2绘示依照本发明一实施方式的发光二极管磊晶结构的发光强度-波长图。

图3绘示依照本发明不同实施方式的发光二极管磊晶结构的发光强度-波长图。

具体实施方式

以下将以附图揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。

图1绘示依照本发明一实施方式的发光二极管磊晶结构100的侧视示意图。本发明不同实施方式提供一种发光二极管磊晶结构100，发光二极管磊晶结构100主要为用于发射紫外光。