[发明专利]发光元件

说明书

相关分案申请

本申请案是发明名称为“发光元件”，申请号为201210574681.3的发明专利申请案的分案申请,原申请案的申请日是2012年12日26日。

技术领域

本发明是有关于一种发光元件，且特别是有关于一种可增加出光效率(light-emitting efficiency)的发光元件。

背景技术

一般而言，在制作发光二极管晶圆时，通常是先提供一基板，利用磊晶成长方式，在基板上形成一磊晶结构，接着在磊晶结构上配置电极以提供电能，便可利用光电效应而发光。之后，利用微影蚀刻技术在磊晶结构中形成多个纵横交错的切割道。其中，每相邻的二纵向的切割道与相邻的二横向的切割道共同定义出一发光二极管晶粒。之后，进行后段的研磨与切割制程，将发光二极管晶圆分成许多的发光二极管晶粒，进而完成发光二极管的制作。

由于利用现有的切割技术所获得的发光二极管的侧壁为平面状，加上发光二极管的材料与空气的折射率差异，因此从发光二极管所发出的光只有少数可从其侧面出射，大部分的光会在发光二极管侧面处产生全反射，而无法进一步利用由侧面出射的光，影响发光二极管的侧面的出光效率，进而降低发光二极管的发光亮度。因此，如何改善发光二极管侧面出光量来提升整体的出光效率便成为了目前亟需解决的问题之一。

发明内容

本发明提供一种发光元件，具有形成在基板的环状侧表面上的粗糙结构，可有效提升整体的出光效率。

本发明提供一种发光元件，其包括一基板、一光电结构以及一粗糙结构。基板具有彼此相对的一上表面与一下表面以及一连接上表面与下表面的环状侧表面，光电结构配置在基板的上表面上，粗糙结构形成在基板的环状侧表面上。基板的厚度与粗糙结构的厚度的比值大于1且小于20。

在本发明的一实施例中，上述的基板的厚度与粗糙结构的厚度的比值大于等于3且小于等于10。

在本发明的一实施例中，上述的粗糙结构的厚度大于等于10微米且小于等于50微米。

在本发明的一实施例中，上述的粗糙结构相对邻近基板的上表面的一侧至基板的上表面的距离大于等于10微米且小于等于150微米。

在本发明的一实施例中，上述的粗糙结构相对邻近基板的下表面的一侧至基板的下表面的距离大于等于0微米且小于等于100微米。

在本发明的一实施例中，上述的粗糙结构包括一环状粗糙结构。

在本发明的一实施例中，上述的环状粗糙结构包括一环状连续粗糙结构。

在本发明的一实施例中，上述的粗糙结构包括多个环状粗糙结构。

在本发明的一实施例中，上述的环状粗糙结构是以不等间距形成在基板的环状侧表面上。

在本发明的一实施例中，上述的环状粗糙结构之间部分重叠。

在本发明的一实施例中，上述的粗糙结构是由一非周期性图案所组成。

在本发明的一实施例中，上述的发光元件为一覆晶式发光元件。

在本发明的一实施例中，上述的光电结构包括一第一电极、一第二电极、一第一型半导体层、一第二型半导体层以及一发光层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间，且第一电极与第二电极分别配置在第一型半导体层与第二型半导体层上。

基于上述，由于本发明的发光元件具有粗糙结构，因此当光电结构发出光线时，可通过此粗糙结构来增加光的散射，可避免射至发光元件的侧面的光产生全反射，进而可提升整体发光元件的出光效率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所示附图作详细说明如下。

附图说明

图1示出为本发明的一实施例的一种发光元件的示意图；

图2A示出为本发明的另一实施例的一种发光元件的示意图；

图2B示出为本发明的一实施例的基板与粗糙结构相对位置的示意图；

图3示出为本发明的又一实施例的一种发光元件的示意图；

图4示出为本发明的再一实施例的一种发光元件的示意图；

图5示出为本发明的一种发光元件覆晶结合于一承载板的示意图。

附图标记说明：

100a、100b、100c、100d、100e：发光元件；

110：基板；

112：上表面；

114：下表面；

116：环状侧表面；

120a、120b：光电结构；

121a、121b：第一电极；

123a、123b：第二电极；