[发明专利]膜形成方法

权利要求书

1.一种在膜形成装置中的膜形成方法，所述膜形成装置具备：分别蓄积第一原料气体和第二原料气体的蓄积机构、对所述第一原料气体及所述第二原料气体进行加热的瞬间加热部、和放置有温度低于所述瞬间加热部的加热温度的基体的反应室，所述膜形成方法中，

将在所述蓄积机构蓄积的所述第一原料气体和所述第二原料气体通过所述瞬间加热部而生成第一气体分子种和第二气体分子种，使该第一气体分子种和第二气体分子种向放置有所述基体且被减压的一定容量的所述反应室突出而进行供给，使所述第一气体分子种的分压和所述第二气体分子种的分压急剧上升，对所述基体的表面交替反复导入所述第一气体分子种或所述第二气体分子种，使所述第一气体分子种或所述第二气体分子种发生反应，从而在所述基体的表面形成化合物膜。

2.根据权利要求1所述的膜形成方法，其特征在于，所述第一原料气体包含硅、铝、镓、钛、锌、铟中的至少一种元素，所述第二原料气体为水、水溶液或者氨。

3.根据权利要求1或2所述的膜形成方法，其特征在于，根据使所述第一原料气体或所述第二原料气体突出来使分压急剧上升的周期而切断排气或降低排气速度，从而使所述第一气体分子种或所述第二气体分子种的分压上升。

4.根据权利要求1或2所述的膜形成方法，其特征在于，所述瞬间加热部的流道的表面由包含钌、镍、铂、铁、铬、铝、钽的元素中的一种以上元素的金属形成。

5.根据权利要求1或2所述的膜形成方法，其特征在于，所述瞬间加热部的加热温度为室温～700℃。

6.根据权利要求1或2所述的膜形成方法，其特征在于，所述基体为膜基体并且在所述反应室内移动。

7.根据权利要求1或2所述的膜形成方法，其特征在于，在所述反应室内具备多个所述基体。

8.根据权利要求1或2所述的膜形成方法，其特征在于，所述基体为硅晶片。

9.根据权利要求1或2所述的膜形成方法，其特征在于，所述基体为塑料的容器。

10.根据权利要求1或2所述的膜形成方法，其特征在于，所述基体为有机电致发光器件、液晶器件、太阳能电池或形成有结构图案的器件基板。