[发明专利]WOLED显示装置有效
| 申请号: | 201710229745.9 | 申请日: | 2017-04-10 |
| 公开(公告)号: | CN107068718B | 公开(公告)日: | 2019-12-17 |
| 发明(设计)人: | 刘扬 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
| 代理公司: | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | woled 显示装置 | ||
本发明提供一种WOLED显示装置,包括基板、及多个WOLED器件;所述基板包括多个阵列排布的像素区域;所述多个WOLED器件包括阳极层、空穴注入层、及多层发光层,其中,相邻两层发光层之间设有一层电荷产生层;所述空穴注入层和/或至少一层电荷产生层对应所述多个像素区域设置,在对应相邻两像素区域之间的上方断开,本发明通过在WOLED显示装置的物理结构上做出改进,使得在像素间距小和驱动电压高时,空穴注入层与电荷产生层也不具有横向导通的特性,进而可有效避免漏光现象的发生。
技术领域
本发明涉及平面显示器领域,尤其涉及一种WOLED显示装置。
背景技术
主动矩阵平面显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。其中,有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)显示技术是一种极具发展前景的平板显示技术,它具有十分优异的显示性能,特别是自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性,被誉为“梦幻显示器”,再加上其生产设备投资远小于薄膜晶体管型液晶显示屏(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay,TFT-LCD),得到了各大显示器厂家的青睐,已成为显示技术领域中第三代显示器件的主力军。目前OLED已处于大规模量产的前夜,随着研究的进一步深入,新技术的不断涌现,OLED显示器件必将有一个突破性的发展。
为实现OLED显示器的全彩化,一种方式是通过红绿蓝(RGB)子像素分别发光的并列式(side-by-side)结构来实现,另一种方式是通过白色有机发光二极管(White OrganicLight Emitting Diode,WOLED)和彩色滤光(Color Filter,CF)层叠加的串联型(tandemWOLED+CF)结构来实现;在WOLED中,两个或多个发光层通过电荷产生层(chargegeneration layer,CGL)相连,发出白光,经过CF层过滤后得到RGB单色光,因发光层叠加,故称作串联型结构。由于WOLED与CF层叠加结构不需要精准的掩膜工艺,就可以实现OLED显示器的高分辨率,目前是应用较为广泛的一种。
近年来,显示技术不断向着高解析度的方向发展:从2K面板发展到现在的主流4K面板,将来继续向着8K面板的方向发展,为保证一定的开口率和亮度,这就要求显示面板中子像素的间距越来越小,单个像素的驱动电压逐渐升高。而像素间距减小和驱动电压的升高则导致WOLED显示面板会出现被驱动的发光子像素旁边未被驱动的子像素也微弱发光的现象,即漏光现象。而漏光现象的产生,会降低显示器的色域,并导致显示质量的下降。
在WOLED器件中,有两层材料可能导致漏光现象,一是空穴注入层(Holeinjection layer,HIL)材料,二是电荷产生层材料,如图1-2所示,现有的WOLED器件包括由下至上依次形成的阳极(Anode)层10、空穴注入层11、第一空穴传输层(Hole transportlayer,HTL)12、第一发光层(Emitting layer,EML)13、第一电子传输层(Electrontransport layer,ETL)14、电荷产生层15、第二空穴传输层16、第二发光层17、第二电子传输层18、及阴极(Cathode)层19;其中,阳极层10的图案对应显示面板的子像素设置,而其他层均为整面结构,并因为空穴注入层11与电荷产生层15的材料都具有一定的横向电荷传导的性能,这就为电荷的横向传导提供了可能性,从而在一定的条件下导致漏光的发生,如图1所示,对于像素间距比较大,驱动电压较低的情况,电荷基本上都是纵向传导的,不存在漏光;如图2所示,对于像素间距较小,驱动电压较高的情况,少量电荷在空穴注入层11与电荷产生层15中可能横向传导到相邻的子像素,使得其也被驱动而微弱发光。
发明内容
本发明的目的在于提供一种WOLED显示装置,在像素间距小和驱动电压高时,也能够有效避免漏光现象的发生。
为实现上述目的,本发明提供一种WOLED显示装置,包括基板、及设于所述基板上的多个WOLED器件;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





