[发明专利]一种基于BDJ的可数字化波长检测集成电路有效

专利信息
申请号: 201710227331.2 申请日: 2017-04-10
公开(公告)号: CN107152968B 公开(公告)日: 2018-08-21
发明(设计)人: 吴柯柯;施朝霞 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: G01J1/44 分类号: G01J1/44
代理公司: 杭州天正专利事务所有限公司 33201 代理人: 王兵;黄美娟
地址: 310014 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 光电流 提取电路 电压比较电路 输出光电流 阳极 波长检测 电流支路 选择电路 输入端 集成电路 电流电压转换电路 数字化 共阴极连接 光电二极管 电流输出 放大电路 深度位置 阳极接地 阴极输出 输出端 掩埋
【说明书】:

基于BDJ的可数字化波长检测集成电路,由光电流提取电路一、光电流提取电路二、电流支路选择电路、电流输出放大电路、电流电压转换电路、电压比较电路一、电压比较电路二、SR锁存器;掩埋CMOS双PN结光电二极管包含2个不同深度位置的PN结,且两PN结共用一个N结,即由浅PN结二极管D1和深PN结二极管D2组成,D1与D2共阴极连接;其中,深PN结D2阳极接地,输出光电流I2,浅PN结D1阳极输出光电流I1,D1与D2阴极输出两个PN结的光电流之和I1+I2;光电流提取电路一的输入端1a与浅PN结D1阳极相连,输出端与电流支路选择电路的第一输入端相连。

技术领域

发明涉及的可数字化波长检测集成电路,可以作为掩埋CMOS双PN结光电二极管(BDJ)传感单元的信号处理电路,并且可与传感单元BDJ单片集成,实现波长探测功能的微型化、便携化。该检测电路可直接与单片机、计算机等处理器连接,实现波长探测的智能化、自动化。

背景技术

掩埋CMOS双PN结光电二极管,由两个垂直堆叠的不同深度的二极管构成。这种器件的层叠式结构使得以硅材料作为滤光片时,光在硅晶体中的透射深度与波长有强烈的依赖关系,两个PN结的光电流比值与波长成良好的单调递增关系,因此可以用于单色光的波长测量。

目前商业化的分立BDJ波长探测器已经广泛使用,而相关信号处理电路则使用分立元件搭建,其缺点是电路复杂、体积大,尤其对于弱信号的探测灵敏度低、可靠性差。基于微电子技术的BDJ集成信号处理电路可提高弱信号的检测和处理时的灵敏度,同时大大缩小了电路的体积,使波长探测系统微型化、智能化成为可能。

发明内容

本发明将光波长检测技术与微电子集成技术相结合,设计了一种基于CMOS工艺的双PN结光电二极管传感单元的可数字化波长检测集成电路,可与光电传感单元BDJ单片集成,实现了光波长探测系统的微型化。该检测电路将两PN结的光电流模拟量经处理后转换成相应频率的方波信号,可直接输入单片机、计算机等处理器,无需通过ADC等数模转换单元再与处理器相连接,实现了波长探测的简单化、自动化和智能化。

本发明阐述的基于BDJ的可数字化波长检测集成电路,由光电流提取电路一1、光电流提取电路二2、电流支路选择电路3、电流输出放大电路4、电流电压转换电路5、电压比较电路一6、电压比较电路二7、SR锁存器8,共8个模块组成。

掩埋CMOS双PN结光电二极管包含2个不同深度位置的PN结,且两PN结共用一个N结,即由浅PN结二极管D1和深PN结二极管D2组成,D1与D2共阴极连接;其中,深PN结D2阳极接地,输出光电流I2,浅PN结D1阳极输出光电流I1,D1与D2阴极输出两个PN结的光电流之和I1+I2;

所述光电流提取电路一1输入端1a与浅PN结D1阳极相连,输出端1b与电流支路选择电路3的第一输入端31a相连;

光电流提取电路一1由PMOS管P0、P1、P2、P3和NMOS管N0组成;所述PMOS管P0源端接电源Vdd,栅漏短接,漏端接所述PMOS管P1源端,所述PMOS管P1栅漏短接,漏极与所述PMOS管P2源端相连,所述PMOS管P2栅极与所述PMOS管P3源极相连,所述PMOS管P2漏端连所述NMOS管N0漏极,所述PMOS管P3源极和漏极分别为该光电流提取电路一1的输入端1a和输出端1b,所述NMOS管N0源极接地,栅漏短接,栅极与所述PMOS管P3栅极连接;

所述光电流提取电路二2的输入端2a与D1和D2的阴极相连,光电流提取电路二2的输出端2b与电流支路选择电路3的第二输入端32a相连;

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