[发明专利]存储器装置及操作存储器装置的方法有效
申请号: | 201710196669.6 | 申请日: | 2017-03-29 |
公开(公告)号: | CN108399935B | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 洪继宇 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/30 | 分类号: | G11C16/30;G11C16/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 操作 方法 | ||
1.一种存储器装置,其特征在于,包括:
一存储器阵列;
多个位线,耦接至该存储器阵列;
一电压源,供应一电压;
多个位线钳位晶体管,耦接至该电压源,这些位线钳位晶体管响应于一位线控制信号而调节对应位线的电压;以及
一控制电路,根据具有一受控斜率的一斜波函数控制该位线控制信号的电压。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其特征在于,该控制电路响应于一反馈信号而调整该受控斜率;以及
一反馈电路,耦接至该电压源,并感测由该电压源输出的电流的一电流值,并响应于感测到的该电流值而产生该反馈信号。
3.根据权利要求1所述的存储器装置,其特征在于,这些位线钳位晶体管中的位线钳位晶体管包括个别晶体管,每一所述个别晶体管具有与该电压源电流连通的一第一端子、与所述对应位线电流连通的一第二端子以及连接至该位线控制信号的一栅极,且在一充电循环的期间,该受控斜率将一栅极至位线电压维持在一固定电平。
4.根据权利要求1所述的存储器装置,其特征在于,这些位线钳位晶体管基于所述对应位线的电压与该位线控制信号的电压之间的差来调节至所述对应位线的电流流量。
5.根据权利要求2所述的存储器装置,其特征在于,该控制电路包含一电流源以及连接至该电流源的一可调电容器,该控制电路产生作为该可调电容器一电容量的函数的一电压斜波,且其中该可调电容器响应于该反馈信号而改变该电容量。
6.根据权利要求2所述的存储器装置,其特征在于,该位线控制信号在一充电循环的一第一间隔内具一有第一斜率,且在该充电循环的一第二间隔内具有一第二斜率,其中该第二斜率为该反馈信号的函数。
7.根据权利要求6所述的存储器装置,其特征在于,该反馈电路感测在该第一间隔的期间由该电压源输出的电流的该电流值,并响应于感测到的该电流值而在该第二间隔的期间调整该反馈信号。
8.一种操作存储器装置的方法,其特征在于,该存储器装置具有一页面缓冲器以及透过多个位线钳位晶体管耦接至该页面缓冲器的多个位线,该方法包括:
存储一数据图样至该页面缓冲器中;
施加来自一电压源的一电压至根据该数据图样所选取位线的位线钳位晶体管;
产生用于这些位线钳位晶体管的具有一受控斜率的一位线控制信号,以响应于该电压而调节至这些位线的电流流量。
9.根据权利要求8所述的的方法,其特征在于,包括:
响应于根据该数据图样所选取位线的一感测负载而调整该位线控制信号。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,包括透过产生作为一可调电容器电容量函数的一电压斜波来产生该位线控制信号,以及响应于基于该感测负载的一反馈信号来调整该可调电容器。
11.一种存储器装置,其特征在于,包括:
一存储器阵列;
一电压源,供应一电压;
一页面缓冲器,耦接至该存储器阵列;
多个位线,耦接至该存储器阵列以及该页面缓冲器;
多个位线钳位晶体管,耦接至这些位线中的个别位线并耦接至该页面缓冲器,以及一电路,用以将该电压源连接至耦接至响应于存储在该页面缓冲器中的数据图样所选取位线的位在这些位线钳位晶体管中的位线钳位晶体管;
一控制电路,响应于一反馈信号而产生一位线控制信号,并施加该位线控制信号至这些位线钳位晶体管;以及
一反馈电路,耦接至该电压源,并感测耦接至根据该数据图样所选取位线钳位晶体管的位线的一负载,且响应于感测到的该负载而产生该反馈信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710196669.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。