[发明专利]一种微秒脉冲等离子体射流一体机装置及其使用方法有效
申请号: | 201710183836.3 | 申请日: | 2017-03-24 |
公开(公告)号: | CN106879155B | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 王瑞雪;邵涛;田思理;邱锦涛;方志;万京林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所;南京工业大学;南京苏曼等离子科技有限公司 |
主分类号: | H05H1/36 | 分类号: | H05H1/36;H02M3/07;H02M1/08;H02M1/32 |
代理公司: | 北京君泊知识产权代理有限公司 11496 | 代理人: | 王程远 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微秒 脉冲 等离子体 射流 一体机 装置 及其 使用方法 | ||
1.一种微秒脉冲等离子体射流一体机装置,其特征在于,包括微秒脉冲激励电源(1)、等离子体射流装置(2)和反应气体装置(29),所述微秒脉冲激励电源(1)通过连接线(26)内设置的高压线(27)与所述等离子体射流装置(2)的高压端连接,所述反应气体装置(29)内的反应气体通过进气管(31)进入所述微秒脉冲激励电源(1)的进气口(32),并通过所述连接线(26)内设置的出气管(28)进入所述等离子体射流装置(2)中;
其中,
所述微秒脉冲激励电源(1)包括低压模块和高压模块,所述低压模块包括调压器T(3)、整流桥(4)、倍压回路、触发控制电路和吸收保护电路,所述高压模块包括脉冲变压器PT(5),所述调压器T(3)的原边与交流电压连接,所述调压器T(3)的副边与所述整流桥(4)连接,所述整流桥(4)与所述倍压回路连接,所述倍压回路与所述触发控制电路和所述吸收保护电路连接,所述倍压回路与所述脉冲变压器PT(5)的原边连接,所述脉冲变压器PT(5)的副边与所述等离子体射流装置(2)连接;外部输入的交流电压经过所述调压器T(3)调压后作为所述微秒脉冲激励电源(1)的输入电压,该输入电压经过所述整流桥(4)后转换成直流电压;所述倍压回路对该直流电压进行升压充电,得到初始脉冲,并在所述触发控制电路的控制下进行放电,通过所述脉冲变压器PT(5)耦合对所述等离子体射流装置(2)输出高压微秒脉冲;所述触发控制电路控制所述倍压回路中开关IGBT(11)的开通和关断,对所述倍压回路进行隔离;所述吸收保护电路吸收所述开关IGBT(11)在开通和关断过程中产生的过电流和过电压;
所述等离子体射流装置(2)通过距离调节按钮(25)固定在金属支架(23)上,且所述等离子体射流装置(2)的外壳通过所述金属支架(23)接地,所述金属支架(23)固定在处理平台(24)上。
2.根据权利要求1所述的微秒脉冲等离子体射流一体机装置,其特征在于,所述倍压回路包括电阻R1(6)、一级电容C1(7)、二级电容C2(8)、升压电感L(9)、充电二极管D1(10)和开关IGBT(11),所述电阻R1(6)和所述一级电容C1(7)串联,所述一级电容C1(7)、所述升压电感L(9)、所述充电二极管D1(10)和所述二级电容C2(8)串联,所述开关IGBT(11)的栅极与所述触发控制电路连接,所述开关IGBT(11)的集电极与所述充电二极管D1(10)的负极连接,所述开关IGBT(11)的发射极与所述吸收保护电路连接;
所述整流桥(4)转换后的直流电压经过所述电阻R1(6)对所述一级电容C1(7)充电;
所述一级电容C1(7)通过所述升压电感L(9)、所述充电二极管D1(10)、所述脉冲变压器PT(5)的励磁电感和漏感对所述二级电容C2(8)升压充电;
所述开关IGBT(11)开通时,所述二级电容C2(8)由所述开关IGBT(11)、所述脉冲变压器PT(5)的漏感和所述脉冲变压器PT(5)的原边构成的回路放电。
3.根据权利要求2所述的微秒脉冲等离子体射流一体机装置,其特征在于,所述一级电容C1(7)由多个电解电容并联组成。
4.根据权利要求1所述的微秒脉冲等离子体射流一体机装置,其特征在于,所述触发控制电路包括脉冲发生器(12)、光电转换部分(13)和驱动回路(14),所述脉冲发生器(12)与所述光电转换部分(13)相连,所述光电转换部分(13)与所述驱动回路(14)相连,所述驱动回路(14)与所述开关IGBT(11)的栅极连接;
所述脉冲发生器(12)产生的脉冲,通过所述光电转换部分(13)把电信号转成光信号再转成电信号,输出到所述驱动回路(14),产生触发脉冲控制所述开关IGBT(11)的关断和开通。
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