[发明专利]数据储存装置及其数据维护方法有效
申请号: | 201710181790.1 | 申请日: | 2017-03-24 |
公开(公告)号: | CN108228385B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 林文生 | 申请(专利权)人: | 慧荣科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F11/14 | 分类号: | G06F11/14 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据 储存 装置 及其 维护 方法 | ||
本发明提供一种数据储存装置及其数据维护方法,包括一快闪存储器以及一控制器。快闪存储器包括多个区块,每一区块包括依照一第一顺序排列的多个页面。当数据储存装置自一断电事件恢复时,控制器判断区块中的一暂时区块的第X面是否可被成功读取。当第X页面可被成功读取时,控制器将暂时区块表中的第X+1个页面储存无效数据以及一暂时区块表,其中第X页面是暂时区块中在断电事件前最后一个被写入的页面,暂时区块表中记录了暂时区块中所有页面的信息,并且X为一正整数。
技术领域
本发明有关于一种数据储存装置,特别有关于可自断电事件恢复数据状态的数据储存装置。
背景技术
快闪存储器为一种普遍的非挥发性数据储存装置,是以电性方式抹除与程序化。以与非门型的快闪存储器(即NAND FLASH)为例,常用作记忆卡(memory card)、通用串行总线闪存装置(USB flash device)、固态硬碟(SSD)、嵌入式快闪存储器模组(eMMC)…等使用。
快闪存储器(如,NAND FLASH)的储存阵列包括多个区块(blocks),其中浮置栅极晶体管可用以构成快闪存储器。浮置栅极晶体管中的浮置栅极,可捕捉的电荷以储存数据。另外,快闪存储器中的实体页面与主机装置所指定的逻辑页面的转换关系需要一个表来记录。当非预期的断电事件发生时,储存于随机存储器中的表会丢失。如何有效重建丢失的表是一个重要的课题。
发明内容
本发明所提供的数据储存装置以及数据维护方法可独立将系统数据储存在暂时区块中,并且将暂时区块表备份在暂时区块中的每个页面中。
本发明提供一种数据储存装置。数据储存装置包括一快闪存储器以及一控制器。快闪存储器包括多个区块,每一区块包括依照一第一顺序排列的多个页面。当数据储存装置自一断电事件恢复时,控制器判断区块中的一暂时区块的第X面是否可被成功读取。当第X页面可被成功读取时,控制器将无效数据以及一暂时区块表写入暂时区块的第X+1个页面中,其中第X页面是暂时区块中在断电事件前最后一个被写入的页面,暂时区块表中记录了暂时区块中所有页面的信息,并且X为一正整数。
在一实施例中,在暂时区块中的每一页面用以储存长度小于一既定长度的系统数据,其中暂时区块中的第X+1页面不具有其他使用者数据。
在另一实施例中,控制器系使用不同的多个读取电压,重复读取第X页面以判断第X页面是否可被成功读取。当控制器使用了两个以上的读取电压才成功读取第X页面时,控制器还使用自第X页面成功读取的数据,对第X页面再次进行写入。
另外,当第X页面无法被成功读取时,控制器则读取暂时区块中的第X-1页面。当第X页面无法被成功读取时,控制器还舍弃暂时区块,选取区块中之另一者作为一新的暂时区块,并且将暂时区块的第1~X-1页面中所储存的数据写入新的暂时区块中。
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