[发明专利]图像传感器有效
申请号: | 201710164695.0 | 申请日: | 2017-03-20 |
公开(公告)号: | CN107818996B | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 谢於叡;陈柏男 | 申请(专利权)人: | 奇景光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包含:
可见光接收部,用以接收一可见光,其中该可见光接收部包含红外光截止滤光球层,用以聚集该可见光并截止红外光;可见光光二极管;和彩色滤光层,设置于该可见光光二极管上,其中该红外光截止滤光球层设置于该彩色滤光层上,其中,所述红外光截止滤光球层的上表面为凸的且为曲面,其中,所述红外光截止滤光球层的下表面为平坦表面,其中所述红外光截止滤光球层还包括直侧壁,其中红外光截止滤光球层是单片结构,其中红外光截止滤光球层是蚀刻层,以及该可见光穿过该红外光截止滤光球层以及该彩色滤光层而被该可见光光二极管所接收;
红外光接收部,用以接收一红外光,其中该红外光接收部包含微透镜层,用以聚集该红外光,其中微透镜层还包括直侧壁;
平坦层,用以提供设置有彩色滤光层的一平坦表面,其中平坦层具有与该平坦表面相反的下表面,该下表面比平坦表面更靠近可见光光二极管,并且其中,彩色滤光层直接设置在平坦层的平坦表面上,该平坦层位于可见光接收部内且位于红外接收部之外。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其中该红外光接收部还包含:
红外光光二极管;和
红外光穿透滤光层,设置于该红外光光二极管上,其中该微透镜层设置于该红外光穿透滤光层上,以及该红外光穿过该微透镜层以及该红外光穿透滤光层而被该红外光光二极管所接收。
3.如权利要求2所述的图像传感器,还包含:
一晶片层,位于该可见光光二极管与该红外光光二极管上,其中该晶片层的一第一部分位于该可见光接收部内,且该晶片层的一第二部分位于该红外光接收部内。
4.如权利要求3所述的图像传感器,其中该晶片层的该第一部分位于该彩色滤光层与该可见光光二极管之间,且该晶片层的该第二部分位于该红外光穿透滤光层与该红外光光二极管之间。
5.如权利要求1所述的图像传感器,其中该彩色滤光层包含红色滤光单元、绿色滤光单元以及蓝色滤光单元。
6.如权利要求1所述的图像传感器,其中该微透镜层设置于该红外光穿透滤光层上。
7.一种图像传感器,包含:
可见光接收部,用以接收一可见光,其中该可见光接收部包含红外光截止滤光球层,用以聚集该可见光并截止红外光;可见光光二极管;和彩色滤光层,设置于该可见光光二极管上,其中该红外光截止滤光球层设置于该彩色滤光层上,其中,所述红外光截止滤光球层的上表面为凸的且为曲面,其中,所述红外光截止滤光球层的下表面为平坦表面,其中所述红外光截止滤光球层还包括直侧壁,其中红外光截止滤光球层是单片结构,其中红外光截止滤光球层是蚀刻层,以及该可见光穿过该红外光截止滤光球层以及该彩色滤光层而被该可见光光二极管所接收;以及
红外光接收部,用以接收一红外光,其中该红外光接收部包含红外光穿透滤光球层,用以聚集该红外光且截断该可见光,其中,所述红外光穿透滤光球层的上表面为凸的且为曲面,其中,所述红外光穿透滤光球层的下表面为平坦表面,其中所述红外光穿透滤光球层还包括直侧壁,其中红外光穿透滤光球层是单片结构,其中红外光穿透滤光球层是蚀刻层;
平坦层,用以提供设置有彩色滤光层的一平坦表面,其中平坦层具有与该平坦表面相反的下表面,该下表面比平坦表面更靠近可见光光二极管,并且其中,彩色滤光层直接设置在平坦层的平坦表面上,该平坦层位于可见光接收部内且位于红外接收部之外。
8.如权利要求7所述的图像传感器,其中该红外光接收部还包含:
红外光光二极管;以及
红外光穿透滤光层,设置于该红外光光二极管上;
其中该红外光穿透滤光球层设置于该红外光穿透滤光层上,该红外光穿过该红外光穿透滤光球层以及该红外光穿透滤光层而被该红外光光二极管所接收。
9.如权利要求8所述的图像传感器,还包含晶片层,位于该可见光光二极管与该红外光光二极管上,其中该晶片层的一第一部分位于该可见光接收部内,且该晶片层的一第二部分位于该红外光接收部内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的