[发明专利]一种图像传感器的封盖工艺有效
| 申请号： | 201710155773.0 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN106876422B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 佘福良;王国建 | 申请（专利权）人： | 积高电子（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 无锡知之火专利代理事务所(特殊普通合伙) 32318 | 代理人： | 袁粉兰 |
| 地址： | 214161 江苏省无锡市滨湖区胡埭工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 图像传感器 工艺 | ||
1.一种图像传感器的封盖工艺，其特征在于，包括：
(1)点胶：在图像传感器的陶瓷/PCB外壳顶端涂覆UV胶，同时涂覆的所述UV胶为非闭合状态且留有缝隙；
(2)封盖：将光学玻璃盖板封盖在涂覆有非闭合UV胶的陶瓷/PCB外壳上；
(3)等待：静待30～45min，使UV胶在光学玻璃盖板的重力和自流的作用下闭合；
(4)检查：检查UV胶自流效果，当UV胶自流后仍然没有闭合，继续等待；当UV胶自流后闭合，进行下步操作；
(5)固化：采用UV光照射，当UV胶中的UV因子释放后，固化结束，所述图像传感器的封盖工艺完成。
2.如权利要求1所述的图像传感器的封盖工艺，其特征在于，所述缝隙间隔为1～1.5mm。
3.如权利要求1所述的图像传感器的封盖工艺，其特征在于，涂覆在所述陶瓷/PCB外壳顶端的所述UV胶的宽度为1～1.2mm。
4.如权利要求3所述的图像传感器的封盖工艺，其特征在于，当所述UV胶的粘度为10000～20000mPa.s时，步骤(1)中的所述缝隙间隔为1.5mm，步骤(3)中的静待时间为30min。
5.如权利要求3所述的图像传感器的封盖工艺，其特征在于，当所述UV胶的粘度为20000～100000mPa.s时，步骤(1)中的所述缝隙间隔为1.2mm，步骤(3)中的静待时间为40min。
6.如权利要求1所述的图像传感器的封盖工艺，其特征在于，步骤(5)中的所述UV光的波长为360nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
