[发明专利]TFT的制造方法及阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种TFT的制造方法及阵列基板的制造方法。

背景技术

随着科技的发展和社会的进步，人们对于信息存储、传递及其处理的依赖程度日益增加。而半导体器件和工艺技术作为信息的存储、传递及其处理的主要载体和物质基础，现已成为众多科学家争相研究的热点。TFT作为一种非常重要的半导体器件已被业界普遍采用。然而，现有TFT的金属电极一般需要涂布光阻、曝光、显影、刻蚀等多道工艺制得，在刻蚀过程中发生铜离子聚集而引起过热爆炸的风险较高，影响TFT电学性能，同时刻蚀溶液、图案中转层剥离(Stripper)溶液及二者废液处理也会导致生产成本居高不下。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种TFT的制造方法及阵列基板的制造方法，能够避免传统制程铜刻蚀形成金属电极时刻蚀溶液中铜离子聚集而引起过热爆炸的风险，确保TFT电学性能，同时节省刻蚀溶液、图案中转层剥离溶液及二者废液处理的成本。

本发明一实施例的薄膜晶体管的制造方法，包括：

在衬底基材上形成第一中转层，其中，将所述衬底基材的上方划分为沿平行于所述衬底基材的方向依次交错排布的第一区域和第二区域，所述第一中转层形成于所述第一区域；

在所述第一区域和第二区域形成第一金属层；

对所述第一中转层进行DIW(Deionized water rinsing,去离子)脱膜制程，以将第一中转层和第一区域的第一金属层从所述衬底基材上剥离，同时所述第二区域的第一金属层保留在衬底基材上而形成薄膜晶体管的金属电极。

本发明一实施例的阵列基板的制造方法，包括：

在衬底基材上形成中转层，其中，将所述衬底基材的上方划分为沿平行于所述衬底基材的方向依次交错排布的第一区域和第二区域，所述中转层形成于所述第一区域；

在所述第一区域和第二区域形成金属层；

对所述中转层进行DIW脱膜制程，以将中转层和第一区域的金属层从所述衬底基材上剥离，同时所述第二区域的金属层保留在衬底基材上而形成薄膜晶体管的金属电极。

通过上述方案，本发明设计在衬底基材上形成交错间隔设置的中转层，并在中转层上形成覆盖衬底基材的金属层，通过对中转层进行DIW脱膜制程即可将未设置于中转层上方的金属层保留在衬底基材上而形成TFT的金属电极，无需刻蚀工艺即可制得金属电极，从而能够避免传统制程铜刻蚀形成金属电极时刻蚀溶液中铜离子聚集而引起过热爆炸的风险，确保TFT电学性能，同时节省刻蚀溶液、图案中转层剥离溶液及二者废液处理的成本。

附图说明

图1是本发明第一实施例的TFT的制造方法的流程示意图；

图2是基于图1所示方法制造TFT的场景示意图；

图3是本发明第二实施例的TFT的制造方法的流程示意图；

图4是基于图3所示方法制造TFT的场景示意图；

图5是本发明第三实施例的TFT的制造方法的流程示意图；

图6是基于图5所示方法制造TFT的场景示意图；

图7是本发明第四实施例的TFT的制造方法的流程示意图；

图8是本发明第一实施例的阵列基板的制造方法的流程示意图；

图9是本发明第二实施例的阵列基板的制造方法的流程示意图。

具体实施方式

本发明的主要目的是：首先，在衬底基材上形成交错间隔设置的中转层；然后，在中转层上形成覆盖衬底基材的金属层；最后，对中转层进行DIW脱膜制程，以将中转层及其上方的金属层从衬底基材上剥离，而未设置在中转层上方的金属层保留在衬底基材上，形成TFT的金属电极。也就是说，本发明通过具有预定图案的中转层实现TFT金属电极的图案化制程，无需刻蚀工艺即可制得TFT的金属电极。

其中，TFT的金属电极既可以是栅极，也可以是源极和漏极中的至少一个。而根据金属电极的不同，所述衬底基材也不同。例如，当金属电极为栅极时，衬底基材可以为阵列基板的承载TFT和像素电极等结构件的透明基材；当金属电极为底栅型TFT的源极和/或漏极时，衬底基材可以为TFT的栅极绝缘层(Gate Insulation Layer,GI层)；当金属电极为顶栅型TFT的源极和/或漏极时，衬底基材可以为TFT的介质隔离层(Interlayer Dielectric Layer,IDL，又称介电层或层间介电层)。

下面结合附图对本发明的各个实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。在不冲突的情况下，下述各个实施例的特征可相互组合。