[发明专利]发光元件有效
申请号: | 201710152765.0 | 申请日: | 2017-03-15 |
公开(公告)号: | CN107221592B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 山上勇也;森田大介 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/38 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 刘晓迪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件,其中,具有:
半导体层积体;
上部电极,其设置在所述半导体层积体的上表面的一部分;
下部电极,其具有光反射性,设置在所述半导体层积体的下表面中从所述上部电极的正下方区域离开的区域;
保护膜,其在所述上部电极的表面、和所述半导体层积体的上表面连续设置,
在所述下部电极的正上方区域设置的所述保护膜的厚度比在所述上部电极的表面、和设有所述上部电极的区域的附近区域的所述半导体层积体的上表面连续设置的所述保护膜的厚度薄。
2.如权利要求1所述的发光元件,其中,
在俯视观察下,就所述保护膜而言,仅所述下部电极的正上方区域薄薄地形成。
3.如权利要求1所述的发光元件,其中,
在所述下部电极的正上方区域设置的所述保护膜的厚度为在所述上部电极的表面和所述附近区域的所述半导体层积体的上表面设置的所述保护膜的厚度的40%以下。
4.如权利要求2所述的发光元件,其中,
在所述下部电极的正上方区域设置的所述保护膜的厚度为在所述上部电极的表面和所述附近区域的所述半导体层积体的上表面设置的所述保护膜的厚度的40%以下。
5.如权利要求1至4中任一项所述的发光元件,其中,
俯视观察下,所述附近区域的外缘处于距所述上部电极的端部15μm以上且30μm以下的位置。
6.一种发光元件,其中,具有:
半导体层积体;
上部电极,其设置在所述半导体层积体的上表面的一部分;
下部电极,其具有光反射性,在所述半导体层积体的下表面中,从所述上部电极的正下方区域离开而设置;
保护膜,其在所述上部电极的表面、和所述半导体层积体的上表面连续设置,
在所述下部电极的正上方区域未设有所述保护膜。
7.如权利要求1~4、6中任一项所述的发光元件,其中,
在所述半导体层积体的下表面中的包含所述上部电极的正下方区域的区域设有绝缘部件。
8.如权利要求1~4、6中任一项所述的发光元件,其中,
所述上部电极具有用于与外部连接的外部连接部、从所述外部连接部延伸设置的延伸部,
所述保护膜在所述延伸部的表面、和设有所述延伸部的区域的附近区域的所述半导体层积体的上表面连续设置,
在所述延伸部的表面、和设有所述延伸部的区域的附近区域的所述半导体层积体的上表面设置的所述保护膜的厚度比在所述下部电极的正上方区域设置的所述保护膜的厚度厚。
9.如权利要求1~4、6中任一项所述的发光元件,其中,
所述上部电极具有在半导体层积体的上表面的一部分设置的第一上部电极、在所述第一上部电极上设置的第二上部电极,
所述保护膜的端部介于所述第一上部电极与所述第二上部电极之间。
10.如权利要求1~4、6中任一项所述的发光元件,其中,
所述下部电极由Ag或以Ag为主要成分的合金构成。
11.如权利要求8所述的发光元件,其中,
俯视观察下,所述附近区域的外缘处于距所述上部电极的端部15μm以上且30μm以下的位置。
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