[发明专利]有机发光显示装置

说明书

提供了如下有机发光显示装置。具有第一半导体图案的第一薄膜晶体管设置在基底上。具有第二半导体图案的第二薄膜晶体管设置在基底上。绝缘层覆盖第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。穿过绝缘层的至少一个第一虚设孔与第一薄膜晶体管的第一半导体图案叠置。穿过绝缘层的至少一个第二虚设孔与第二薄膜晶体管的第二半导体图案叠置。至少一个第一虚设孔和至少一个第二虚设孔的数量或尺寸彼此不同。

本申请要求于2016年3月18日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0032914号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明涉及一种有机发光显示装置及其制造方法。

背景技术

有机发光显示装置包括使用同一工艺形成的多个薄膜晶体管(TFT)。TFT中的一些可以用作响应于扫描信号操作的开关TFT。TFT中的一些可以用作驱动TFT以提供流经有机发光器件的电流。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，提供了如下有机发光显示装置。具有第一半导体图案的第一薄膜晶体管设置在基底上。具有第二半导体图案的第二薄膜晶体管设置在基底上。绝缘层覆盖第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。穿过绝缘层的至少一个第一虚设孔与第一薄膜晶体管的第一半导体图案叠置。穿过绝缘层的至少一个第二虚设孔与第二薄膜晶体管的第二半导体图案叠置。至少一个第一虚设孔和至少一个第二虚设孔的数量或尺寸彼此不同。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了如下制造有机发光显示装置的方法。在基底上形成具有第一半导体图案的第一薄膜晶体管和具有第二半导体图案的第二薄膜晶体管。形成绝缘层以覆盖第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。形成穿过绝缘层的至少一个第一虚设孔以与第一薄膜晶体管的第一半导体图案叠置。形成穿过绝缘层的至少一个第二虚设孔以与第二薄膜晶体管的第二半导体图案叠置。在形成至少一个第一虚设孔和至少一个第二虚设孔之后对基底执行热处理。至少一个第一虚设孔和至少一个第二虚设孔的数量或尺寸彼此不同。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了如下有机发光显示装置。具有第一半导体图案的第一薄膜晶体管设置在基底上；第一绝缘层覆盖第一薄膜晶体管。第二绝缘层覆盖第一绝缘层。第一接触孔穿过第一绝缘层。源电极/漏电极通过第一接触孔与第一半导体图案接触。第一虚设孔暴露第一半导体图案。第二绝缘层通过第一虚设孔与第一半导体图案接触。

附图说明

通过参照附图详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的这些和其他特征将变得更加明显，在附图中：

图1是示出根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置的平面图；

图2是示出图1的有机发光显示装置的一部分的平面图；

图3是示出有机发光显示装置的一个像素的剖视图；

图4A和图4B是分别示出根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置的第一薄膜晶体管(TFT)和第二TFT的平面图；

图5是沿图4A的线Va-Va和图4B的线Vb-Vb截取的剖视图；

图6是示出图5的修改的实施例的剖视图；

图7A和图7B是分别示出根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置的第一区域和第二区域的平面图；

图8A至图8C是示出根据本发明的示例性实施例的制造有机发光显示装置的工艺的剖视图；

图9和图10是示出根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置的像素电路的平面图；

图11和图12是示出位于根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置的非显示区域中的驱动电路的平面图；

图13A和图13B是示出位于根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置的显示区域中的像素电路和位于非显示区域中的驱动电路的平面图；