[发明专利]有机发光显示装置有效
申请号: | 201710149903.X | 申请日: | 2017-03-14 |
公开(公告)号: | CN107204354B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | 金德会;太胜奎 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H10K59/121 | 分类号: | H10K59/121;H01L21/77;H01L27/12;H10K59/88 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:
基底;
第一薄膜晶体管,具有设置在所述基底上的第一半导体图案;
第二薄膜晶体管,具有设置在所述基底上的第二半导体图案;
绝缘层,覆盖所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管;
至少一个第一虚设孔,穿过所述绝缘层并与所述第一薄膜晶体管的所述第一半导体图案叠置,以作为在所述第一薄膜晶体管的制造中所述第一半导体图案中的氢离子被蒸发所沿的路径;以及
至少一个第二虚设孔,穿过所述绝缘层并与所述第二薄膜晶体管的所述第二半导体图案叠置,以作为在所述第二薄膜晶体管的制造中所述第二半导体图案中的氢离子被蒸发所沿的路径,
其中,所述至少一个第一虚设孔和所述至少一个第二虚设孔的数量或尺寸彼此不同,
其中,所述至少一个第一虚设孔不与所述第一薄膜晶体管的栅电极叠置,并且所述至少一个第二虚设孔不与所述第二薄膜晶体管的栅电极叠置。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括:
保护层,设置在所述绝缘层上,
其中,所述保护层的一部分填充所述至少一个第一虚设孔和所述至少一个第二虚设孔。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,所述保护层包括有机绝缘材料。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括:
层间绝缘层,设置在所述第一薄膜晶体管与所述绝缘层之间以及所述第二薄膜晶体管与所述绝缘层之间。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置,其中,所述至少一个第一虚设孔和所述至少一个第二虚设孔还穿过所述层间绝缘层,并朝向所述基底延伸。
6.根据权利要求4所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括:
第三虚设孔,穿过所述层间绝缘层并与所述第一半导体图案叠置;以及
第四虚设孔,穿过所述层间绝缘层并与所述第二半导体图案叠置。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一薄膜晶体管的所述第一半导体图案和所述第二薄膜晶体管的所述第二半导体图案中的每个包括多晶硅。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,
其中,所述基底包括包含多个像素的显示区域,
其中,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管位于所述多个像素中的至少一个像素中。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置,其中,所述第一薄膜晶体管包括驱动薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管包括开关薄膜晶体管。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置,其中,所述至少一个第一虚设孔的数量或尺寸大于所述至少一个第二虚设孔的数量或尺寸。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,
其中,所述基底包括包含多个像素区域的显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域,
其中,所述第一薄膜晶体管位于所述多个像素区域中的每个像素区域中,所述第二薄膜晶体管位于所述非显示区域中。
12.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,
其中,所述基底包括包含多个像素区域的显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域,
其中,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管位于所述非显示区域中。
13.根据权利要求12所述的有机发光显示装置,其中,所述第一薄膜晶体管的沟道长度与所述第二薄膜晶体管的沟道长度不同。
14.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括:设置在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管上的显示元件。
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