[发明专利]数据检验校正方法在审
申请号: | 201710149624.3 | 申请日: | 2017-03-14 |
公开(公告)号: | CN108572887A | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 廖贯渊;苟崴第;王皓冀 | 申请(专利权)人: | 上海骐宏电驱动科技有限公司 |
主分类号: | G06F11/14 | 分类号: | G06F11/14;G06F11/10 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 史瞳;谢琼慧 |
地址: | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检验码 修复数据 判定 第一数据 数据检验 校正 存储单元存储 处理单元 存储单元 判定结果 数据无效 电连接 位元 向量 预设 修正 修复 | ||
一种数据检验校正方法,由一电连接一第一存储单元的处理单元实施,该第一存储单元存储第一数据及其对应的第一检验码,与第二数据及其对应的第二检验码,该方法包含以下步骤:当根据该第一检验码判定出该第一数据无效且根据该第二检验码判定出该第二数据无效时,判定该第一检验码是否相同于该第二检验码;当判定结果为是时,根据一预设且包含一修正位元的修复向量与该第一数据产生第一修复数据;根据该第一检验码判定该第一修复数据是否有效;及当判定出该第一修复数据有效时,根据该第二数据及该第一修复数据判定该第一修复数据是否正确。
技术领域
本发明涉及一种检验校正方法,特别是涉及一种数据检验校正方法。
背景技术
固态快闪存储器(Flash Memory)用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如记忆卡与随身盘等存储装置。相较于先前的电子抹除式存储器(EEPROM),快闪存储器读写速率更快、功耗更低且成本更低。
然而,现有的固态快闪存储器的可擦写次数为一万次,大幅低于先前的电子抹除式存储器的十万次。目前用来解决固态快闪存储器使用寿命过短的问题的方法包含以下两种:第一种方式为使用寿命较长的外部存储器来延长使用寿命,第二种方式为以损耗均衡演算法来延长使用寿命。然而,这两种方法不能从根本上解决问题,因为若存储器中的某个反及闸(NAND gate)发生永久故障,且在未检测出上述故障的情况下,有误用错误数据的危险,即使在有检测出上述故障的情况下检测得知存储器故障,还是无法复原损坏的数据,因而对数据的使用极其不便且有安全性的疑虑。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能检测数据并恢复损毁的数据的数据检验校正方法。
本发明的数据检验校正方法,借由一处理单元来实施,该处理单元电连接一第一存储单元,该第一存储单元包括一存储第一数据与一对应该第一数据的第一检验码的第一存储区、一存储相关于该第一数据的备份的第二数据与一对应该第二数据的第二检验码的第二存储区,及多个其他未使用的存储区,该第一存储单元还存储一相关于该第一存储区的位址与该第二存储区的位址的位址簿,该数据检验校正方法包含以下步骤:
(A)根据该位址簿获得存储于该第一存储单元的该第一存储区的该第一数据与该第一检验码,及存储于该第一存储单元的该第二存储区的该第二数据与该第二检验码;
(B)根据该第一检验码判定该第一数据是否有效;
(C)当判定出该第一数据无效时,根据该第二检验码判定该第二数据是否有效;
(D)当判定出该第二数据无效时,判定该第一检验码是否相同于该第二检验码;
(E)当判定出该第一检验码相同于该第二检验码时,根据一预设且包含一修正位元的修复向量与该第一数据,产生第一修复数据;
(F)根据该第一检验码判定该第一修复数据是否有效;及
(G)当判定出该第一修复数据有效时,根据该第二数据及该第一修复数据判定该第一修复数据是否正确。
较佳地,本发明的数据检验校正方法,步骤(G)包含以下子步骤:
(G-1)根据该第一修复数据与该第二数据产生第三数据;及
(G-2)根据该第三数据判定该第一修复数据是否正确。
较佳地,本发明的数据检验校正方法,在步骤(G-2)中,借由判定该第三数据是否为2的幂以判定该第一修复数据是否正确,当该第三数据为2的幂时,该第一修复数据正确。
较佳地,本发明的数据检验校正方法,在步骤(E)中,将该修复向量与该第一数据进行逻辑异或,以产生该第一修复数据,且在子步骤(G-1)中,将该第一修复数据与该第二数据进行逻辑异或,以产生该第三数据。
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