[发明专利]快闪存储器的数据读取方法和系统

说明书

本发明公开一种快闪存储器的数据读取方法和系统。其中上述快闪存储器包括多个存储器单元，上述方法包括：以一第一栅极电压执行一第一读取操作，并取得一第一编码；以一第二栅极电压执行一第二读取操作，并取得一第二编码；以一第三栅极电压执行一第三读取操作，并取得一第三编码；根据上述第一编码、上述第二编码以及上述第三编码决定一偏移方向；以及根据上述偏移方向决定一控制栅极电压。

本申请是申请号为“201310058078.4”、申请日为2013年2月22日、题为“快闪存储器的数据读取方法、存储器控制装置和系统”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明有关于一种快闪存储器的数据读取方法，特别是有关于一种根据存储器单元中位元序列的二进制分配特性读取储存于快闪存储器的数据的存储器控制装置以及方法。

背景技术

快闪存储器的特性为可将储存的数据电子抹除以及编程。其广泛应用于记忆卡、固态硬盘以及可携式多媒体播放器(portable multimedia players)等。由于快闪存储器为一非挥发性存储器，因此并不需要消耗电力以保存存储器中的信息。此外，快闪存储器具有快速读取的特性以及较佳的抗震性。这些特性解释了快闪存储器被普遍使用的原因。

快闪存储器可分为NOR型快闪存储器和NAND型快闪存储器。关于NAND型快闪存储器，其特性为将抹除和编程的时间缩短，以及缩小每一个单元所需的芯片面积，因此，相较于NOR型快闪存储器，NAND型快闪存储器具有较佳的储存密度和较低的成本。一般而言，快闪存储器将数据储存于存储器单元的一阵列中，其中存储器单元由浮动栅极晶体管所构成。每一个存储器单元可储存一位元的信息，或通过适当地调整浮动栅极(floating gate)的电子数目以配置导通由此浮动栅极所构成的存储器单元所需的电压阈值而储存一位元以上的信息。依此方式，当一个或多个既定控制栅极电压提供至浮动栅极晶体管的一控制栅极时，浮动栅极晶体管的导通状态将指示此浮动栅极晶体管所储存的二进位位元。

然而，储存于一快闪存储器单元内的电子数目会因为某些因素而受到影响或干扰。举例来说，写入(编程)干扰、读取干扰和(或)保存干扰(retention disturbance)可能会于存储器内产生噪声。一NAND型快闪存储器的存储器单元可储存多于一位元的信息，例如，一实体页(physical page)包括多个逻辑页，以及利用一个或多个控制栅极电压读取每一个逻辑页。举例来说，一个可以储存三位元的信息的快闪存储器单元分别具有八种不同的状态(即电荷位准)，代表不同的电荷数目(即不同的阈值电压)。然而，由于编程/抹除的次数和(或)保存时间增加，可能导致快闪存储器中存储器单元的阈值电压产生改变。因此，由于阈值电压的改变，利用原始控制栅极电压的设定(即为阈值电压设定)自存储器单元读取所储存的位元可能导致无法取得正确的储存信息。

发明内容

本发明的目的是提供读取储存于一快闪存储器的数据的方法、存储器控制装置以及系统，通过阈值电压的分配以解决上述的问题。

根据本发明一实施例公开一种读取储存于快闪存储器内的数据的方法。快闪存储器包括多个存储器单元以及每一个存储器单元皆具有一特定的阈值电压。实施例包括:取得代表存储器单元中一第一群组的阈值电压的一第一阈值电压分布；取得代表存储器单元中一第二群组的阈值电压的一第二阈值电压分布，其中第二阈值电压不同于第一阈值电压，以及存储器单元中第一群组至少包括存储器单元中第二群组的一部分；以及控制快闪存储器于存储器位元的第一群组根据第二阈值电压分布执行至少一读取操作。

附图说明

图1显示了存储器的系统架构图；

图2显示了调整控制栅极电压的简单示意图，其中控制栅极电压用以读取LSB的数据；

图3显示了决定控制栅极电压的偏移方向的简单示意图，其中控制栅极电压调整的目的为找到最佳的电压值；