[发明专利]一种阵列基板，阵列基板的像素电极充电方法和显示装置

说明书

本申请实施例提供了一种阵列基板，包括：多根栅极扫描线、多根数据扫描线，多个像素结构，每个像素结构包括：一像素电极，与每个像素电极连接的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；属于同一像素结构的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分别与相邻的两根栅极扫描线连接；当对栅极扫描线输入信号电压时，与该栅极扫描线连接的多个像素结构的第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管被导通，数据扫描线分别通过被导通的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，对相应的像素电极充电。本申请实施例中，像素结构的像素电极可以在相邻的两根栅极扫描线的信号电压持续时间内进行充电，增长了对像素电极的充电时间，提升了充电率。

技术领域

本申请涉及显示设备技术领域，特别是涉及一种阵列基板，一种阵列基板的像素电极充电方法和显示装置。

背景技术

现有的薄膜晶体管TFT(Thin Film Transistor)阵列基板包括：栅极扫描线、数据扫描线、与每根栅极扫描线和数据扫描线连接的薄膜晶体管，与每个薄膜晶体管TFT连接的像素电极。当对一栅极扫描线输入信号电压时，与该栅极扫描线连接的薄膜晶体管被导通，数据扫描线的充电电压通过被导通的薄膜晶体管对相应的像素电极进行充电。

如图1所示为现有的薄膜晶体管阵列基板的示意图。其中，一个像素电极只通过一个薄膜晶体管进行充电。如果薄膜晶体管在生产工艺中有损坏，其对应的像素电极将无法正常充电。在面板中，如果像素电极无法充电将无法使对应的液晶产生偏转，从而出现坏点。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本申请实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种阵列基板，一种阵列基板的像素电极充电方法和显示装置。

为了解决上述问题，本申请实施例公开了一种阵列基板，包括：

多根栅极扫描线、多根数据扫描线，多个像素结构，每个像素结构包括：一像素电极，与每个像素电极连接的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

属于同一像素结构的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分别与相邻的两根栅极扫描线连接；

当对栅极扫描线输入信号电压时，与该栅极扫描线连接的多个像素结构的第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管被导通，数据扫描线分别通过被导通的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，对相应的像素电极充电。

优选的，属于同一像素结构的第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管与同一数据扫描线连接。

优选的，属于同一像素结构的第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管与相邻的数据扫描线连接。

优选的，行相邻的两个像素结构的第一薄膜晶体管分别与相邻的数据扫描线连接，行相邻的两个像素结构的第二薄膜晶体管分别与相邻的数据扫描线连接。

优选的，列相邻的两个像素结构的第一薄膜晶体管与同一数据扫描线连接，列相邻的两个像素结构的第二薄膜晶体管与同一数据扫描线连接。

本申请实施例还公开了一种阵列基板的像素电极充电方法，其中，所述阵列基板包括：多根栅极扫描线、多根数据扫描线，多个像素结构，每个像素结构包括：一像素电极，与每个像素电极连接的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；属于同一像素结构的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分别与相邻的两根栅极扫描线连接；

所述的方法包括：

逐根对所述栅极扫描线输入信号电压，与栅极扫描线连接的多个像素结构的第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管被导通；

对所述数据扫描线输入充电电压；

通过与所述数据扫描线连接且导通的各个像素结构的第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管，基于所述充电电压，对相应的像素电极充电。

优选的，属于同一像素结构的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，与同一数据扫描线相连接；