[发明专利]使用杂基加热器的光环形谐振器制造后微调的装置和方法

权利要求书

1.一种装置，其特征在于，所述的装置包括：

包含绝缘体结构上的半导体的衬底，

在所述绝缘体上的光学板，所述光学板由所述半导体形成，

光输入，光输出，以及在两者之间的至少一个光总线，和耦合到所述至少一个光总线并从所述光学板延伸的光环形谐振器，

在所述光学板上和所述光环形谐振器的至少一部分内的加热器，所述加热器在所述光环形谐振器的至少一内径和一外径之间延伸，所述的加热器包括具有非均匀掺杂分布的光学板半导体的局部掺杂部分，所述局部掺杂部分是相对于所述加热器其余部分具有掺杂峰值和/或较高掺杂浓度的区域；

连接至所述加热器的电气连接件；

存储器，存储所述加热器的预定电气参数，当其应用于所述加热器时，将导致所述加热器中的所述掺杂剂相对于所述光环形谐振器扩散，由于各个光环状谐振器内的掺杂剂的浓度改变而引起所述光环形谐振器的谐振的偏移，所述预定电气参数存储为加热期间光环形谐振器中的谐振频率偏移的函数；和，

使用所述电气连接件与所述加热器进行通信的控制器；控制器配置为：

确定所述光环形谐振器的初始谐振频率；

基于所述初始谐振频率和目标谐振频率确定预定电气参数的子集，使所述加热器中在所述子集处运行；并且，

使用所述电气连接件对所述加热器应用所述预定电气参数的对应子集，以将所述光环形谐振器的谐振频率从初始谐振频率偏移到目标谐振频率。

2.根据权利要求1所述的一种装置，其特征在于，所述掺杂剂的非均匀分布包括在所述光环形谐振器的内径和外径的任一侧上的至少一个浓度峰值。

3.根据权利要求1所述的一种装置，其特征在于，所述掺杂剂的非均匀分布包括在所述光环形谐振器的内径和外径之间的至少一个浓度峰值。

4.根据权利要求1所述的一种装置，其特征在于，进一步包含在所述加热器中的第二掺杂剂，由于在加热期间改变所述光环形谐振器内的所述第二掺杂剂的浓度，所述的加热器的预定电气参数进一步与所述光环形谐振器谐振引起的偏移相关。

5.根据权利要求1所述的一种装置，其特征在于，由于在加热期间改变一个或多个所述光环形谐振器内晶格缺陷的浓度及物理性质，所述的加热器的预定电气参数进一步与引起所述光环形谐振器的谐振中的偏移相关。

6.根据权利要求1所述的一种装置，其特征在于，由于在加热期间至少将所述光环形谐振器暴露于反应性气体中，所述的加热器的预定电气参数进一步与引起所述光环形谐振器的谐振中的偏移相关。

7.根据权利要求1所述的一种装置，其特征在于，所述的掺杂剂包括p型掺杂剂。

8.根据权利要求1所述的一种装置，其特征在于，所述的掺杂剂包括n型掺杂剂。

9.根据权利要求1所述的一种装置，其特征在于，所述的掺杂剂包括深层掺杂剂。

10.根据权利要求1所述的一种装置，其特征在于，所述的光环形谐振器包括光滤波器，所述加热器围绕所述光滤波器的主要部分延伸。

11.根据权利要求1所述的一种装置，其特征在于，所述的光环形谐振器包括光调制器，所述的装置进一步包括围绕所述光调制器第一部分的电压控制装置，及围绕所述光学调制器的第二部分的所述加热器，所述第一部分长于所述第二部分。

12.根据权利要求1所述的一种装置，其特征在于，所述光环形谐振器和所述光学板的相对厚度的比率大于或等于2比1。

13.根据权利要求1所述的一种装置，其特征在于，进一步包括在光总线上的光输入，所述的光输入配置为接收光信号、将所述光信号传送到所述光环形谐振器。