[发明专利]一种光罩颗粒尺寸的评估方法

说明书

本发明公开了一种光罩颗粒尺寸的评估方法，通过在每次对光罩进行颗粒检验完之后，按照当前的曝光照明条件设定对应的颗粒尺寸规格，对颗粒尺寸规格进行动态调整，并以此对光罩颗粒尺寸是否超标进行评估，从而可以明显减少因为颗粒尺寸规格过紧导致的晶圆产品的不必要返工和增加成本的问题，也可以避免一些少数曝光条件下颗粒尺寸已经影响到产品，但实际上却误判为合格的情况，从而可防止部分产品误流出的风险。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，更具体地，涉及一种光罩颗粒尺寸的评估方法。

背景技术

芯片制造业的光刻工艺中，在通过光罩进行曝光的过程中，如果在光罩上掉落有颗粒(particle)，就有可能在晶圆上成像，导致晶圆上图形的异常；当然，也有可能因为颗粒的大小不足以成像，因而不会对产品造成影响。

光罩上掉落的颗粒能否在晶圆上成像，取决于光罩上颗粒所产生的照度斑的大小。照度斑一般采用相对值形式(％)，其大小可根据光学原理进行计算。而业界通常是以一个固定的照度斑规格、例如约1％，以及一个比较通用的曝光照明条件，来计算出光罩上掉落的颗粒尺寸，从而得出一个统一的一刀切的颗粒尺寸规格要求。

在进行规定数量晶圆的光刻工艺后，光刻机台将按照上述设定不变的颗粒尺寸规格要求，进行光罩颗粒的检验。当检验发现光罩颗粒超过规格时，之前已进行光刻工艺后的晶圆产品就需要返工。

然而，由于在不同的曝光照明条件下，通过计算得出的颗粒的允许尺寸是不同的，从而对于颗粒尺寸的要求也应是不一样的。

所以，上述这种一刀切的颗粒尺寸规格设定，在工艺过程中当遇到采用不同曝光照明条件对晶圆进行光刻工艺时，就容易导致因规格过紧而造成额外返工和增加成本的问题；反之，对于有些产品，也可能导致因规格过松而造成产品误流出的风险。

因此，有必要对现有的光罩颗粒检验模式进行改进。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种新的光罩颗粒尺寸的评估方法，能减少不必要的返工，以及防止部分产品误流出的风险。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种光罩颗粒尺寸的评估方法，包括以下步骤：

步骤S01：采用一光罩，按第一曝光照明条件，对第一晶圆批次进行光刻工艺；

步骤S02：光刻完成后，对所述光罩进行颗粒检验，并得到第一最大颗粒尺寸；

步骤S03：根据第一曝光照明条件，设定第一颗粒尺寸规格；

步骤S04：将第一最大颗粒尺寸与第一颗粒尺寸规格对比，并当其超出时提供警报。

优选地，当曝光照明条件维持第一曝光照明条件不变时，对后续晶圆批次重复执行步骤S01-步骤S04。

优选地，当曝光照明条件由第一曝光照明条件变化为第二曝光照明条件时，还包括以下步骤：

步骤S05：按第二曝光照明条件，对第二晶圆批次进行光刻工艺；

步骤S06：光刻完成后，对所述光罩进行颗粒检验，并得到第二最大颗粒尺寸；

步骤S07：根据第二曝光照明条件，设定第二颗粒尺寸规格；

步骤S08：将第二最大颗粒尺寸与第二颗粒尺寸规格对比，并当其超出时提供警报。

优选地，对某个晶圆批次进行光刻工艺的过程中，当需要变化曝光照明条件时，先对所述光罩进行颗粒检验，并对应得到最大颗粒尺寸，然后根据当前曝光照明条件，对应设定颗粒尺寸规格与最大颗粒尺寸进行对比，之后，再按变化后的曝光照明条件，继续对该晶圆批次进行光刻工艺，以及根据变化后的曝光照明条件，对应设定新的颗粒尺寸规格。