[发明专利]一种光罩颗粒尺寸的评估方法

权利要求书

1.一种光罩颗粒尺寸的评估方法，其中，在光刻过程中，所述光罩表面会有颗粒掉落，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01：采用一光罩，按第一曝光照明条件，对第一晶圆批次进行光刻工艺；

步骤S02：光刻完成后，对所述光罩进行颗粒检验，并得到第一最大颗粒尺寸；

步骤S03：根据第一曝光照明条件，设定第一颗粒尺寸规格；

步骤S04：将第一最大颗粒尺寸与第一颗粒尺寸规格对比，并当其超出时提供警报；

当曝光照明条件维持第一曝光照明条件不变时，对后续晶圆批次重复执行步骤S01-步骤S04；

当曝光照明条件由第一曝光照明条件变化为第二曝光照明条件时，还包括以下步骤：

步骤S05：按第二曝光照明条件，对第二晶圆批次进行光刻工艺；

步骤S06：光刻完成后，对所述光罩进行颗粒检验，并得到第二最大颗粒尺寸；

步骤S07：根据第二曝光照明条件，设定第二颗粒尺寸规格；

步骤S08：将第二最大颗粒尺寸与第二颗粒尺寸规格对比，并当其超出时提供警报；

其中，根据曝光照明条件，通过计算得到颗粒的最小成像尺寸，并根据颗粒的最小成像尺寸设定颗粒尺寸规格；所述曝光照明条件包括数值孔径和照明系相干度。

2.根据权利要求1所述的光罩颗粒尺寸的评估方法，其特征在于，对某个晶圆批次进行光刻工艺的过程中，当需要变化曝光照明条件时，先对所述光罩进行颗粒检验，并对应得到最大颗粒尺寸，然后根据当前曝光照明条件，对应设定颗粒尺寸规格与最大颗粒尺寸进行对比，之后，再按变化后的曝光照明条件，继续对该晶圆批次进行光刻工艺，以及根据变化后的曝光照明条件，对应设定新的颗粒尺寸规格。

3.根据权利要求1所述的光罩颗粒尺寸的评估方法，其特征在于，所述数值孔径包括照明系数值孔径和投影系数值孔径。

4.根据权利要求3所述的光罩颗粒尺寸的评估方法，其特征在于，所述照明系相干度为照明系数值孔径与投影系数值孔径的比值。

5.根据权利要求2所述的光罩颗粒尺寸的评估方法，其特征在于，对某个晶圆批次进行光刻工艺的过程中，当需要变化曝光照明条件时，将变化曝光照明条件后该晶圆批次中剩余的晶圆组成新的晶圆批次进行光刻工艺，并根据变化后的曝光照明条件，对应设定新的颗粒尺寸规格。

6.根据权利要求1所述的光罩颗粒尺寸的评估方法，其特征在于，将所述颗粒的最小成像尺寸乘以一小于1的系数后得到的值，作为颗粒尺寸规格的设定值。