[发明专利]一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法有效
| 申请号： | 201710140872.1 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN106876540B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 卢太平;朱亚丹;许并社;周小润 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 张彩琴 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 gan led 量子 效率 外延 生长 方法 | ||
1.一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一衬底并对衬底进行表面清洁；
在清洁后的衬底上生长GaN成核层并高温退火处理；
在退火后的GaN成核层上生长非故意掺杂GaN层；
在非故意掺杂GaN层上生长n型GaN层；
在n型GaN层上生长多量子阱发光层，所述多量子阱发光层为若干对InGaN阱层/低温GaN盖层/高温GaN垒层依次从下向上交替堆叠组成，低温GaN盖层的生长温度与InGaN阱层的生长温度一致，高温GaN垒层的生长温度高于InGaN阱层与低温GaN盖层的生长温度，且每层低温GaN盖层的生长均分为两阶段，第一阶段为生长过程中不通入H2气体，第二阶段为生长过程中通入H2气体；
在多量子阱发光层上生长p-AlGaN电子阻挡层；
在p-AlGaN电子阻挡层上生长p-GaN层和p-GaN接触层。
2.根据权利要求1所述的一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法，其特征在于，所述H2气体的流量为低温GaN盖层生长过程中通入的所有气体总流量的0.1%-20%。
3.根据权利要求2所述的一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法，其特征在于，每层低温GaN盖层的第一阶段的厚度比例大于等于10%且小于等于90%。
4.根据权利要求3所述的一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法，其特征在于，所述多量子阱发光层中InGaN阱层的厚度为1-6nm，低温GaN盖层的总厚度为0.2-6nm，高温GaN垒层的厚度为5-20nm。
5.根据权利要求4所述的一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法，其特征在于，所述InGaN阱层中In组分以摩尔百分数计为5-40%。
6.根据权利要求5所述的一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法，其特征在于，所述多量子阱发光层中InGaN阱层/低温GaN盖层/高温GaN垒层的周期数为1-20对。
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