[发明专利]连接体的制造方法有效
| 申请号： | 201710138673.7 | 申请日： | 2017-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN107230646B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 梶谷太一郎 | 申请（专利权）人： | 迪睿合株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603 |
| 代理公司： | 北京挚诚信奉知识产权代理有限公司 11338 | 代理人： | 邢悦;王永辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 连接 制造 方法 | ||
1.一种连接体的制造方法，其具有下述工序：
在第一电子部件上配置光固化型的各向异性导电膜的工序(A)；
隔着所述各向异性导电膜而在所述第一电子部件上配置第二电子部件的工序(B)；
从所述第二电子部件侧进行光照射的工序(C)；以及
利用加热工具从所述第二电子部件侧将所述第一电子部件与所述第二电子部件连接的工序(D)，
在所述工序(D)中的所述第一电子部件与所述第二电子部件的对准偏离量为所述各向异性导电膜中的粘合剂树脂层所含的导电性粒子的粒径的50％以内。
2.根据权利要求1所述的连接体的制造方法，其中，所述工序(B)中的所述第一电子部件与所述第二电子部件的对准偏离量为所述第一电子部件的电极或所述第二电子部件的电极的短边的10％以内。
3.根据权利要求2所述的连接体的制造方法，其中，其中，所述工序(B)中的所述第一电子部件与所述第二电子部件的对准偏离量为1μm以内。
4.根据权利要求1所述的连接体的制造方法，其中，在所述工序(A)与所述工序(B)之间进一步具有对配置于所述第一电子部件上的各向异性导电膜整个面进行光照射的工序(E)。
5.根据权利要求1所述的连接体的制造方法，其中，在所述工序(C)的前后进一步具有挤压所述第二电子部件的工序(F)。
6.根据权利要求1所述的连接体的制造方法，其中，所述工序(C)中的累计光量为300mJ/cm2以上。
7.根据权利要求1所述的连接体的制造方法，其中，所述工序(D)中，从所述第一电子部件侧向所述各向异性导电膜进行光照射。
8.根据权利要求7所述的连接体的制造方法，其中，所述工序(D)中的累计光量为300～1200mJ/cm2。
9.根据权利要求4所述的连接体的制造方法，其中，所述工序(E)中的累计光量小于100mJ/cm2。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的连接体的制造方法，其中，所述第一电子部件为透明基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
