[发明专利]一种存储器芯片初始操作电压配置方法及装置

说明书

本发明提供了一种存储器芯片初始操作电压配置方法及装置，涉及存储器技术领域。本发明提供的存储器芯片初始操作电压配置方法及装置，通过预设的多个电压值对多个存储器芯片的每个存储器芯片都进行多次测试操作，即就是，进行同一测试流程，根据测试流程结束后的测试结果，确定出与之对应的初始操作电压，实现了根据每个存储器芯片自身的情况，为每个存储器芯片确定初始操作电压，保证了存储器芯片在以该初始操作电压进行操作的时候，能够以最优的操作速度和操作时长完成操作，提高了存储器芯片的性能。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别是涉及一种存储器芯片初始操作电压配置方法及装置。

背景技术

随着电子技术的不断发展，存储器芯片也越来越多的应用到电子产品中。芯片在使用过程中，都会用到初始操作电压，例如，芯片的编程(英文：program)或擦除(英文：erase)都会用到初始操作电压，该初始操作电压对芯片的性能有很大的影响。

现有技术中，通常是在对存储器芯片进行量产测试的过程中，对存储器芯片的初始操作电压进行统一配置，具体的，对多个芯片通过反复测试，确定一个能满足大部分存储器芯片正常工作的初始操作电压，并将该初始操作电压的配置信息固化到该多个芯片中。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术中存在至少如下问题：

由于生产工艺条件的差别，不同存储器芯片在性能上可能会有差别，这样，现有技术中，为多个芯片配置相同的初始操作电压，相同的初始操作电压对个每颗芯片来说，不一定是合适的，这样会导致某些芯片在利用初始操作电压进行操作时出现异常，例如，在利用该初始操作电压进行编程或擦除或读取操作的时候，可能会出现操作速度过慢，操作时间过长的问题，进而导致芯片使用性能较差。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种存储器芯片初始操作电压配置方法及装置。

依据本发明的第一方面，提供了一种存储器芯片初始操作电压配置方法，所述方法提供预设的多个电压值作为测试电压，对每个存储器芯片进行测试操作，所述方法包括：

从预设的多个电压值中选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压；

利用所述当前测试电压，对存储器芯片进行测试操作；

判断所述测试操作是否成功；

如果所述测试操作成功，则确定电压变化次数Tn；

根据所述电压变化次数Tn，确定所述存储器芯片的初始操作电压；

如果所述测试操作失败，则从所述预设的多个电压值中重新选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压，重新进行测试。

可选的，在所述从预设的多个电压值中选择一个未使用的电压值，作为当前测试电压的步骤之前，所述方法还包括：

确定存储器芯片的最高电压Vmax、开始电压Vin以及电压变化值ΔV；

将所述开始电压Vin、Vin+ΔV、Vin+2ΔV、Vin+3ΔV...Vin+nΔV确定为预设的多个电压值，其中，所述Vin+nΔV等于所述最高电压Vmax。

可选的，所述确定电压变化次数Tn的步骤，包括：

从所述存储器芯片中的预设计数器中读取电压变化次数Tn。

可选的，所述确定电压变化次数Tn的步骤，包括：

计算所述当前测试电压与所述开始电压Vin的差值；

确定所述差值和所述电压变化值ΔV之间的倍数关系；

根据所述倍数关系确定电压变化次数Tn。