[发明专利]基于擦除速度的字线控制

说明书

公开了用于擦除深度控制的装置、系统、方法、和计算机程序产品。一种装置包括非易失性存储单元块。控制器被配置成用于对非易失性存储单元块执行第一擦除操作。用于块的控制器被配置成用于基于验证电压阈值来确定所述块中的第一存储单元集合具有比所述块中的第二存储单元集合更快的擦除速度。用于块的控制器被配置成用于针对所述块中的第一存储单元集合和第二存储单元集合使用不同电压对所述块执行第二擦除操作。

技术领域

本公开在各实施例中涉及存储设备，并且更具体地涉及针对存储设备的基于擦除速度的字线控制。

背景技术

许多数据存储设备(诸如闪存设备)将数据存储在非易失性介质的单元中。每个单元的物理特性(诸如存储电荷、电压、材料相、电阻、磁化等)是可变的以便对数据进行编码。单元的物理特性可以跨可以被划分为离散状态的范围是可变的，从而使得不同的状态对应于不同的数据值。读出单元的物理特性是否满足在其范围内的一个或多个读取阈值(例如，电压阈值、电阻率阈值等)确定了单元的状态，因此允许恢复存储的数据值。

由于单元损坏、电荷泄露、温度效应、来自附近单元的干扰、制造差异等，单元的数据编码物理特性可以随着时间的推移而发生变化。例如，擦除单元的状态的速度可以在单元之间发生变化。随着存储密度的增加，特征尺寸缩小，从而使得单元更易于受到这种差异的影响。

发明内容

呈现了用于擦除深度控制的装置。在一个实施例中，一种装置包括非易失性存储单元块。在某些实施例中，用于块的控制器被配置成用于对所述非易失性存储单元块执行第一擦除操作。在一个实施例中，控制器被配置成用于基于验证电压阈值来确定块中的第一存储单元集合具有比所述块中的第二存储单元集合更快的擦除速度。在一些实施例中，控制器被配置成用于针对所述块中的第一存储单元集合和第二存储单元集合使用不同电压对非易失性存储单元块执行第二擦除操作。

呈现了用于擦除深度控制的方法。在一个实施例中，一种方法包括：使用第一电压分布对多个字线执行擦除操作的第一部分。在进一步实施例中，一种方法包括：对多个字线执行第一擦除验证。在某些实施例中，一种方法包括：基于第一擦除验证来确定多个字线中的第一字线组具有比所述多个字线中的第二字线组更低的阈值电压。在一些实施例中，一种方法包括：对多个字线执行擦除操作的第二部分。在一个实施例中，在针对第一字线组的擦除操作的第二部分过程中使用第二电压分布，在针对第二字线组的擦除操作的第二部分过程中使用第三电压分布，并且所述第二电压分布和所述第三电压分布是不同的。

在一个实施例中，一种用于擦除深度控制的装置包括：用于使用第一电压分布对多个字线执行第一擦除直到满足预擦除验证电压阈值的装置。在某些实施例中，一种装置包括：用于基于不同的擦除验证电压阈值来确定多个字线中的第一字线组具有比所述多个字线中的第二字线组更短的擦除持续时间和/或更快的擦除速度的装置。在各实施例中，一种装置包括：用于对多个字线执行第二擦除操作的装置。在一个实施例中，在针对第一字线组的第二擦除操作过程中使用第二电压分布，在针对第二字线组的所述第二擦除操作过程中使用第三电压分布，并且所述第二电压分布和所述第三电压分布是不同的。

附图说明

以下包括关于附图中展示的特定实施例的更具体的描述。应该理解，这些附图仅描绘了本公开的某些实施例并且因此不应被认为是限制其范围，通过使用附图利用另外的特定性和细节来描述和解释本公开，在附图中：

图1A是展示了用于擦除深度控制的系统的一个实施例的示意性框图；

图1B是展示了用于擦除深度控制的系统的另一实施例的示意性框图；

图2是展示了存储单元串的一个实施例的示意性框图；

图3是展示了存储单元阵列的一个实施例的示意性框图；

图4展示了3D、垂直NAND闪存结构的一个实施例；