[发明专利]基于擦除速度的字线控制

权利要求书

1.一种用于擦除深度控制的装置，包括：

非易失性存储单元块；以及

用于所述块的控制器，所述控制器被配置成，

对所述非易失性存储单元块执行第一擦除操作，所述第一擦除操作包括被施加为一个或多个擦除脉冲的第一电压；

基于验证电压阈值来确定所述块中的第一存储单元集合具有比所述块中的第二存储单元集合更快的擦除速度；以及

针对所述块中的所述第一存储单元集合和所述第二存储单元集合使用不同电压对所述非易失性存储单元块执行第二擦除操作。

2.如权利要求1所述的装置，其中，所述控制器被配置成：

通过施加第一电压在所述第一擦除操作过程中擦除所述非易失性存储单元块；

通过施加第二电压在所述第二擦除操作过程中擦除所述第一存储单元集合；以及

通过施加第三电压在所述第二擦除操作过程中擦除所述第二存储单元集合。

3.如权利要求2所述的装置，其中，所述第二电压具有比所述第三电压低的幅度。

4.如权利要求3所述的装置，其中，所述控制器通过向所述第一存储单元集合的一个或多个控制栅施加更高的偏置电压来降低所述第二电压的幅度，由此减慢对所述第一存储单元集合的擦除，所述第二电压包括所述第一存储单元集合的一个或多个漏极与所述第一存储单元集合的所述一个或多个控制栅之间的电压差。

5.如权利要求1所述的装置，其中，所述验证电压阈值包括所述非易失性存储单元块的擦除验证电压阈值，所述擦除验证电压阈值与所述非易失性存储单元块的擦除状态相关联。

6.如权利要求1所述的装置，其中，所述验证电压阈值包括高于所述非易失性存储单元块的擦除验证电压阈值的预擦除验证电压阈值。

7.如权利要求1所述的装置，其中，所述控制器被配置成基于所述第一擦除操作来确定所述非易失性存储单元块中的第三存储单元集合具有比所述非易失性存储单元块中的所述第二存储单元集合更慢的擦除速度，并且在所述第二擦除操作过程中使用与所述第一和第二存储单元集合的电压不同的所述第三存储单元集合的电压。

8.如权利要求1所述的装置，其中，所述第一擦除操作包括作为单个擦除脉冲被施加的第一电压。

9.如权利要求1所述的装置，其中，所述第一擦除操作包括一系列多个擦除脉冲。

10.如权利要求1所述的装置，其中，所述控制器包括非易失性存储设备的硬件，所述非易失性存储设备包含所述非易失性存储单元块，所述非易失性存储设备的所述硬件包括以下各项中的一项或多项：与非易失性存储的多个半导体芯片进行通信的存储控制器、包括所述非易失性存储单元块的所述半导体芯片之一、以及与所述非易失性存储单元块在同一半导体芯片上的状态机。

11.一种用于擦除深度控制的方法，包括：

使用第一电压分布对多个字线执行擦除操作的第一部分，所述擦除操作包括被施加为一个或多个擦除脉冲的第一电压分布；

对所述多个字线执行第一擦除验证；

基于所述第一擦除验证来确定所述多个字线中的第一字线组具有比所述多个字线中的第二字线组更低的阈值电压；以及

对所述多个字线执行所述擦除操作的第二部分，其中，在针对所述第一字线组的所述擦除操作的所述第二部分过程中使用第二电压分布，在针对所述第二字线组的所述擦除操作的所述第二部分过程中使用第三电压分布，并且所述第二电压分布和所述第三电压分布是不同的。