[发明专利]离子注入装置及测量装置

说明书

本发明提供一种用于准确地测量离子束的角度重心的技术。角度测量装置(48)具备：狭缝(62)，供离子束入射，并且狭缝宽度方向是与朝向晶片的离子束的射束行进方向正交的方向；及多个电极体(64a～64g)，设置在射束行进方向上远离狭缝(62)的位置，并且各自具有射束测量面(65a～65g)，所述射束测量面为相对于通过狭缝(62)后的离子束暴露的区域。多个电极体(64a～64g)配置成各电极体的射束测量面在狭缝宽度方向上依次排列，并且在狭缝宽度方向上相邻的射束测量面在射束行进方向上错开。

技术领域

本申请主张基于2016年3月18日申请的日本专利申请第2016-055822号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。

本发明涉及一种离子注入装置，尤其涉及测量离子束的角度分布的技术。

背景技术

半导体制造工序中，以改变半导体的导电性及改变半导体的晶体结构为目的等，规范地实施对半导体晶片注入离子的工序(以下，也称为“离子注入工序”)。离子注入工序中所使用的装置被称为离子注入装置，其具有由离子源生成离子并对所生成的离子进行加速而形成离子束的功能以及将该离子束传送至注入处理室并对处理室内的晶片照射离子束的功能。为了测量照射于晶片的离子束的行进角，使用沿与射束行进方向正交的方向排列的多个射束检测器(例如，参考专利文献1)。

专利文献1：日本特开2008-146863号公报

入射于晶片的离子束角度特性可例举作为射束整体的平均值的入射角度(角度重心)。通常，为了提高射束的角度重心的测量精度，需要在欲测量射束的角度分量的方向上排列多个射束检测器，并且缩小射束检测器的配置间隔而增加设置数量。然而，若增加射束检测器的设置数量而缩小一个射束检测器的检测范围，则直至获取可靠性高的测量数据需要花费不少时间，并且检测装置的成本增加。

发明内容

本发明是鉴于这种状况而完成的，其目的在于提供一种用于准确地测量离子束的角度重心的技术。

为了解决上述课题，本发明的一种方式的离子注入装置为具备用于测量照射于晶片的离子束的角度分布的测量装置的离子注入装置。该测量装置具备：狭缝，供离子束入射，并且狭缝宽度方向是与朝向晶片的离子束的射束行进方向正交的方向；及多个电极体，设置在射束行进方向上远离狭缝的位置，并且各自具有射束测量面，所述射束测量面为相对于通过狭缝后的离子束暴露的区域。多个电极体配置成各电极体的射束测量面在狭缝宽度方向上依次排列，并且在狭缝宽度方向上相邻的射束测量面在射束行进方向上错开。

本发明的另一方式是用于测量离子束的角度分布的测量装置。该测量装置具备：狭缝，供离子束入射，及多个电极体，设置在射束行进方向上远离狭缝的位置，并且各自具有射束测量面，所述射束测量面为相对于通过狭缝后的离子束暴露的区域。多个电极体配置成各电极体的射束测量面在狭缝宽度方向上依次排列，在狭缝宽度方向上相邻的射束测量面在射束行进方向上错开。

本发明的又一方式也是用于测量离子束的角度分布的测量装置。该测量装置具备：狭缝，供离子束入射，及多个电极体，设置在射束行进方向上远离狭缝的位置，并且各自具有射束测量面，所述射束测量面为相对于通过狭缝后的离子束暴露的区域。多个电极体配置成各电极体的射束测量面在狭缝宽度方向上无间隙地排列，并且各电极体的射束测量面在射束行进方向成为相同的位置，各电极体的射束测量面的狭缝宽度方向的长度与狭缝的狭缝宽度相同或者是狭缝宽度的1/n(n为2以上的整数)。

另外，在方法、装置、系统等之间相互替换以上构成要件的任意组合或本发明的构成要件和表现的方式，也作为本发明的方式同样有效。

发明效果

根据本发明，能够准确地测量离子束的角度重心。

附图说明

图1是示意地表示实施方式所涉及的离子注入装置的结构的俯视图。