[发明专利]离子注入方法及离子注入装置

权利要求书

1.一种离子注入方法，其特征在于，

向以满足规定的面沟道效应条件的方式配置的晶片照射离子束，测量射束照射后的晶片表面的规定特性，并使用所述特性的测量结果评价所述离子束的注入角度分布的扩散的大小，

所述测量结果是所述射束照射后的晶片表面的电阻值、通过热波法测量的所述射束照射后的晶片表面的热波信号、或者通过二次离子质谱即SIMS测量的所述射束照射后的晶片表面的注入杂质浓度的深度分布。

2.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，

所述晶片取向成具有平行于规定的基准面的沟道效应面，但不具有与所述基准面正交且与基准轨道方向平行的沟道效应面，所述规定的基准面与入射于所述晶片的离子束的所述基准轨道方向平行。

3.根据权利要求2所述的离子注入方法，其特征在于，

评价与所述基准面正交的方向的所述离子束的注入角度分布的扩散的大小。

4.根据权利要求3所述的离子注入方法，其特征在于，

向以所述离子束的扫描方向与所述基准面正交的方式配置的所述晶片照射沿所述扫描方向进行往复扫描的离子束，并评价所述离子束的所述扫描方向的注入角度分布的扩散的大小。

5.根据权利要求3所述的离子注入方法，其特征在于，

向以所述离子束的扫描方向与所述基准面平行的方式配置的所述晶片照射沿所述扫描方向进行往复扫描的离子束，并评价与所述离子束的所述扫描方向正交的方向的注入角度分布的扩散的大小。

6.根据权利要求2所述的离子注入方法，其特征在于，

所述晶片是晶片主面为(100)面的结晶性衬底，且配置成所述晶片绕晶片主面的法线旋转时的＜110＞方位与所述基准面之间的扭转角为0度或45度，所述晶片绕所述基准面的法线旋转时的晶片主面的法线与所述基准轨道方向之间的倾角在7度～60度的范围内。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，

所述晶片是晶片主面的偏角为0.1度以下的结晶性衬底。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，

使用所述测量结果评价所述离子束的中心附近的角度分布的扩散的大小。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，

所述离子注入方法还对晶片表面形成有半导体电路的元件构造的晶片照射所述离子束，

使用所述测量结果评价入射到所述元件构造附近的所述离子束的角度分布的扩散的大小。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，

使用角度分布测量仪测量所述离子束的角度分布，使用所述测量结果评价所述角度分布测量仪的测量值。

11.根据权利要求1至6中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，

向设定在所述晶片的晶片主面上的多个区域照射射束条件不同的离子束，按照所述多个区域中的每个区域测量射束照射后的所述晶片的特性，并使用所述多个区域中的每个区域的测量结果评价所述离子束的注入角度分布的扩散的大小。

12.根据权利要求11所述的离子注入方法，其特征在于，

关于所述射束条件不同的离子束，至少射束的角度条件不同。

13.根据权利要求11所述的离子注入方法，其特征在于，

关于所述射束条件不同的离子束，生成所述离子束的装置不同。