[发明专利]离子注入装置及扫描波形制作方法

说明书

本发明提供一种离子注入装置及扫描波形制作方法，其课题为在衬底表面准确地实现不均匀的二维离子注入量分布。本发明的离子注入装置(10)具备：射束扫描仪(26)，沿射束扫描方向提供往复射束扫描；第2射束测量部(50)，在射束扫描仪(26)的下游测量射束扫描方向的射束电流强度分布；及控制装置(60)。控制装置(60)具备扫描波形制作部，所述扫描波形制作部判断在给定的扫描波形的基础上通过第2射束测量部(50)测量的测量射束电流强度分布是否适合目标不均匀剂量分布，当适合时，将给定的扫描波形与目标不均匀剂量分布建立对应关联。

技术领域

本申请主张基于2016年3月18日申请的日本专利申请第2016-055824号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。

本发明涉及一种离子注入装置及扫描波形制作方法。

背景技术

半导体制造工序中，以改变导电性及改变半导体晶片的晶体结构为目的等，规范地实施向半导体晶片注入离子的工序。该工序中使用的装置通常被称为离子注入装置。在大多数情况下，要求在晶片面内实现均匀的二维离子注入量分布。但是也存在想要不均匀的二维离子注入量分布的情况。

专利文献1：日本专利第5638995号公报

发明内容

本发明的一种方式的例示性目的之一在于，提供一种有助于在衬底表面准确地实现不均匀的二维离子注入量分布的技术。

根据本发明的一种方式，离子注入装置具备：射束扫描仪，按照扫描波形沿射束扫描方向提供往复射束扫描；机械扫描仪，使衬底沿机械扫描方向往复运动；控制装置，控制所述射束扫描仪及所述机械扫描仪，以给予衬底表面目标二维不均匀剂量分布；及射束电流测量部，在所述射束扫描仪的下游测量射束扫描方向的射束电流强度分布。所述控制装置具备：目标设定部，将所述目标二维不均匀剂量分布转换成多个目标剂量分布，所述多个目标剂量分布各自为射束扫描方向的剂量分布且在机械扫描方向上形成于不同的位置；及射束扫描驱动部，从注入用扫描波形数据库获取与所述多个目标剂量分布分别对应的扫描波形，根据机械扫描方向的衬底位置从所获取的扫描波形中选择任一扫描波形，并使用所选择的扫描波形驱动所述射束扫描仪。所述多个目标剂量分布包括至少一个目标不均匀剂量分布。所述控制装置还具备扫描波形制作部，所述扫描波形制作部判断在给定的扫描波形的基础上通过所述射束电流测量部测量的测量射束电流强度分布是否适合所述目标不均匀剂量分布，当适合时，将所述给定的扫描波形与所述目标不均匀剂量分布建立对应关联并存储于所述注入用扫描波形数据库。

根据本发明的一种方式，离子注入装置具备：射束扫描仪，沿射束扫描方向提供往复射束扫描；射束电流测量部，在所述射束扫描仪的下游测量射束扫描方向的射束电流强度分布；及扫描波形制作部，判断在给定的扫描波形的基础上通过所述射束电流测量部测量的测量射束电流强度分布是否适合目标不均匀剂量分布，当适合时，将所述给定的扫描波形与所述目标不均匀剂量分布建立对应关联。

根据本发明的一种方式，提供一种离子注入装置用扫描波形制作方法。所述离子注入装置具备：射束扫描仪，沿射束扫描方向提供往复射束扫描；及射束电流测量部，在所述射束扫描仪的下游测量射束扫描方向的射束电流强度分布。扫描波形制作方法具备如下步骤：判断在给定的扫描波形的基础上通过所述射束电流测量部测量的测量射束电流强度分布是否适合目标不均匀剂量分布的步骤；及当适合时，将所述给定的扫描波形与所述目标不均匀剂量分布建立对应关联的步骤。

并且，在装置、方法、系统、计算机程序及存储有计算机程序的记录介质等之间相互替换以上构成要件的任意组合或本发明的构成要件或表现的方式，作为本发明的方式也同样有效。

发明效果

根据本发明，能够在衬底表面准确地实现不均匀的二维离子注入量分布。

附图说明