[发明专利]IC封装工艺废水处理方法在审
| 申请号： | 201710124383.7 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106865819A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 胡杰;刘黎;巨正富 | 申请（专利权）人： | 四川新能水处理工程有限公司 |
| 主分类号： | C02F9/04 | 分类号： | C02F9/04;C02F101/20;C02F101/10 |
| 代理公司： | 成都顶峰专利事务所(普通合伙)51224 | 代理人： | 赵正寅 |
| 地址： | 610000 四川省成都市武*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ic 封装 工艺 废水处理 方法 | ||
1.一种IC封装工艺废水处理方法，其特征在于，包括步骤：
A、将IC封装工艺废水中的含铜废水和含硅废水分别处理：
(1)IC封装工艺废水中的含铜废水处理：将含铜废水与强碱反应、固液分离后得到第一预处理废水；
(2)IC封装工艺废水中的含硅废水处理：
a.调节含硅废水的PH值为碱性，得到碱性含硅废水；
b.向所述碱性含硅废水中先后加入絮凝剂溶液和助凝剂溶液，得到絮凝含硅废水；
c.将所述絮凝含硅废水用颗粒过滤器加压过滤后，再用第一袋式过滤器过滤即得第二预处理废水；
B、混合处理废水：将第一预处理废水和第二预处理废水混合后用第二袋式过滤器过滤，得到混合处理废水；
C、超滤杀菌：将混合处理废水采用超滤过滤、杀菌后，得到生活用水和浓水。
2.根据权利要求1所述的IC封装工艺废水处理方法，其特征在于，所述步骤(1)中每1立方米含铜废水中加入强碱的量为80～110g。
3.根据权利要求1所述的IC封装工艺废水处理方法，其特征在于，所述步骤a中所述的pH值为7.5-8.5。
4.根据权利要求1所述的IC封装工艺废水处理方法，其特征在于，所述步骤b中所述絮凝剂溶液中絮凝剂的含量为8％～12％，所述助凝剂溶液中的助凝剂的含量为0.1～0.5％。
5.根据权利要求4所述的IC封装工艺废水处理方法，其特征在于，所述步骤b中每1立方米碱性含硅废水中加入的絮凝剂溶液为40～50g，每1立方米碱性含硅废水中加入的助凝剂溶液为1.5～2.86g。
6.根据权利要求1或4或5所述的IC封装工艺废水处理方法，其特征在于，所述步骤b中所述絮凝剂溶液为聚氯化铝溶液，所述助凝剂溶液为聚丙烯酰胺溶液。
7.根据权利要求1所述的IC封装工艺废水处理方法，其特征在于，所述步骤(1)的固液分离为离心分离或过滤。
8.根据权利要求1所述的IC封装工艺废水处理方法，其特征在于，所述步骤b中加入絮凝剂溶液5min～8min后再加入助凝剂溶液。
9.根据权利要求1所述的IC封装工艺废水处理方法，其特征在于，所述第一袋式过滤器的过滤精度为5～10μm，所述第二袋式过滤器的过滤精度为1-5μm。
10.根据权利要求1所述的IC封装工艺废水处理方法，其特征在于，还包括步骤D、浓水回用：将所述浓水与步骤B中的混合处理废水混合后进行超滤过滤、杀菌。
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