[发明专利]化学镀金浴在审

专利信息
申请号: 201710124004.4 申请日: 2017-03-03
公开(公告)号: CN107365985A 公开(公告)日: 2017-11-21
发明(设计)人: 田边克久;笹村哲也;西村直志;染矢立志 申请(专利权)人: 上村工业株式会社
主分类号: C23C18/44 分类号: C23C18/44
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司11283 代理人: 刘兵,严政
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 化学 镀金
【说明书】:

技术领域

本发明涉及化学镀金浴。

背景技术

金具有仅次于银、铜的高电导率,通过热压接的接续性等的物理性能良好,并且耐氧化性、耐药品等的化学性质也良好。因此,使用金的镀金,在作为电子工业领域中印刷电路板的电路、IC封装的安装部分和端子部分等的最终表面处理方法中被广泛使用。近年,伴随着电子部件的小型化、高密度化,优选使用不需要铅引线且功能性等良好的化学镀方法。

化学镀方法,根据镀覆方法可代表性地举出下述的方法。

(1)在基底化学镀镍膜上,形成置换镀金膜的化学镀镍/置换镀金法(Electroless Nickel Immersion Gold:ENIG)

(2)在铜上直接形成置换镀金膜的直接置换镀金法(Direct Immersion Gold:DIG)

(3)在基底化学镀镍膜和置换镀金膜之间设置化学镀钯膜的化学镀镍/化学镀钯/置换镀金法(Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold:ENEPIG)

这些方法都可以防止铜的扩散、提高电路和端子耐腐蚀性。特别是使用化学镀钯的ENEPIG法,作为进一步提高导线、无铅焊料之间的连接可靠性的方法,非常地有用。

化学镀金浴,根据作为金供给源使用的金盐(水溶性金化合物)的种类大体分为氰镀浴和无氰镀浴(非氰镀浴)。其中,氰镀浴含有含氰基(CN)的水溶性金化合物(例如氰化金钾等的氰化金盐等)。另一方面,非氰镀浴含有不含氰基的水溶性金化合物(例如氯化金钠等的氯化金盐、亚硫酸金钠等的亚硫酸金盐等)。

化学镀金浴,除了上述金盐之外,还含有还原剂、络合剂和稳定剂等的添加剂。其中,还原剂用于还原金盐使金析出而添加。络合剂主要用于使镀金液的金的溶解性稳定化而添加。此外,出于进一步提高镀覆稳定性、镀覆后的外观、调整镀膜形成速度(镀覆速度)等的目的,添加稳定剂。

特别是在化学镀金浴中,需要根据还原剂的种类添加稳定剂,例如氰镀浴的情况,使用有毒物质KCN作为稳定剂。然而,由于强毒性,在保管上、废弃上导致对环境的不良影响大,期望提供在氰镀浴中,代替KCN的稳定剂。

另一方面,非氰镀浴的情况,作为稳定剂,使用亚硫基二乙酸、巯基苯并噻唑、聚乙烯醇、羟基乙酸、巯基丁二酸等(例如专利文献1-6)。

现有技术文献

专利文献

【专利文献1】日本特开2011-168837号公报

【专利文献2】日本特开平6-145996号公报

【专利文献3】日本特开平6-145997号公报

【专利文献4】日本特开平6-280039号公报

【专利文献5】日本特开2004-10964号公报

【专利文献6】日本特开2005-194569号公报

发明内容

然而,根据本发明的发明人的研究结果,判明了上述专利文献中记载的化合物,作为稳定剂的效果不足,在稳定性、镀覆后的外观、镀覆速度中任意一项上效果差。

本发明鉴于上述情况而成,其目的在于,提供一种新的化学镀金浴,该化学镀金浴与氰镀浴、非氰镀浴的种类无关,能够全面提高镀覆稳定性、镀覆后的外观和镀覆速度(以下,也将它们总称为镀覆能力)。

本发明的主旨,如下述1-4所述。

1.一种化学镀金浴,该化学镀金浴含有水溶性金化合物、还原剂、络合剂和稳定剂,其中,所述稳定剂为下述式所示的氰醇化合物。

[化学式1]

式中,R1和R2相同或不同,表示氢原子、甲硅烷基、或可被取代基取代的烷基或芳基。

2.根据上述1所述的化学镀金浴,其中,所述氰醇化合物选自丙酮氰醇、甲醛氰醇、苯甲氰醇和1,1,1-三氟丙酮氰醇中的至少一种。

3.根据上述1或2记载的化学镀金浴,其中,所述还原剂选自硼氢化物、氨基硼烷化合物、硫脲、对苯二酚、抗坏血酸、肼、甲醛和甲醛重亚硫酸盐(ホルムアルデヒド重亜硫酸塩)中的至少一种。

4.根据上述1或2所述的化学镀金浴,其中,作为所述还原剂进行作用的成分含有选自甲醛和甲醛重亚硫酸盐中的至少一种,以及下述式(1)或式(2)所示的胺化合物。

·R1-NH-C2H4-NH-R2(1)

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