[发明专利]探针头在审
| 申请号: | 201710122581.X | 申请日: | 2017-03-03 |
| 公开(公告)号: | CN107527828A | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
| 发明(设计)人: | 许明正;王美珍 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,李伟 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 探针 | ||
技术领域
本发明的实施例涉及探针头。
背景技术
在半导体集成电路(IC)制造中,在制造过程中和运输之前,测试晶圆以确保正确操作。晶圆测试是一种在自动测试设备(ATE)和晶圆上形成的管芯之间建立临时电连接的一种测试技术以证明IC的适当的性能。
随着电路设计的复杂性改进、半导体制造工艺的快速发展以及电路性能的需求,IC已经发展为三维(3D)结构以增加电路性能。对于这些3D结构需要新的和不同的测试设备。
发明内容
本发明的实施例提供了一种探针头,包括:第一端,连接至第一衬底,所述第一衬底配置为连接至测试头;第二端,包括:第一内部凹槽,由第一突出部分围绕;和第一多个探针,连接至所述第一突出部分。
本发明的另一实施例提供了一种方法,包括:将被测试的晶圆放置在测试区域中,所述晶圆包括接合至底部衬底的顶部衬底;以及在所述晶圆上方布置探针头,所述探针头包括:第一端,连接至测试仪;第二端,具有布置在第一内部凹槽周围的第一突出部分和连接至所述第一突出部分的第一多个探针;其中,探针头以所述第一多个探针的每个分别接触所述晶圆的表面上的接触件并且所述顶部衬底定位在所述第一内部凹槽中的方式布置。
本发明的又一实施例提供了一种方法,包括:=将被测试的晶圆放置在测试区域中,所述晶圆包括第一顶部衬底和第二顶部衬底,所述第一顶部衬底和所述第二顶部衬底接合至底部衬底;以及在所述晶圆上方布置探针头,所述探针头包括:第一端,连接至测试仪;第二端,包括:第一突出部分和第一多个探针,所述第一突出部分布置在第一内部凹槽周围并且所述第一多个探针连接至所述第一突出部分;第二突出部分和第二多个探针,所述第二突出部分布置在第二内部凹槽周围并且所述第二多个探针连接至所述第二突出部分;其中,探针头以所述第一多个探针的每个分别接触所述晶圆的表面上的接触件、所述第二多个探针的每个分别接触所述晶圆的所述表面上的接触件、所述第一顶部衬底定位在所述第一内部凹槽中以及所述第二顶部衬底定位在所述第二内部凹槽中的方式布置。
附图说明
当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
图1是根据一些实施例的探针测试系统的截面图。
图2是根据一些实施例的测试系统中的探针头和3D封装结构的截面图。
图3是根据一些实施例的测试系统中的探针头的截面图。
图4是根据一些实施例的探针头的平面图。
图5是根据一些实施例的探针头和3D封装结构的截面图。
图6是根据一些实施例的探针头的截面图。
图7是根据一些实施例的探针头和3D封装结构的截面图。
图8是根据一些实施例的探针头和3D封装结构的截面图。
图9是根据一些实施例的探针头和3D封装结构的截面图。
图10是根据一些实施例的使用探针头测试晶圆的方法的流程图。
具体实施方式
以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然,这些仅仅是实例,而不旨在限制本发明。例如,以下描述中,在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例,并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件,从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实例。此外,本发明可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的,并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
而且,为便于描述,在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语,以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外,空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上),而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





