[发明专利]一种白光OLED发光器件在审

专利信息
申请号: 201710122281.1 申请日: 2017-03-02
公开(公告)号: CN106848080A 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 谢再锋 申请(专利权)人: 瑞声光电科技(常州)有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 213167 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 白光 oled 发光 器件
【说明书】:

技术领域

本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种白光OLED发光器件。

背景技术

当前,世界照明产业正快速发展,新的照明产品的不断研发和新技术的不断涌现带动了照明产业跨越式的发展。从传统的白炽灯,到荧光管,以及到如今的LED(发光二极管,Light-Emitting Diode)和OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)等,无不展现着照明技术的飞跃发展。其中,OLED具有成本低、全固态、主动发光、亮度高、视角宽、厚度薄、低电压直流驱动、功耗低、工作温度范围宽、可实现软屏照明等特点,被称为新一代节能环保照明产品。

其中,OLED包括白光有机发光二极管,可采用该种发光二极管制成可产生白光的发光器件。

相关技术中的发光器件通常包括衬底、与衬底密封连接的封装层,以及依次沉积在衬底上的色转换层、阳极导电层、OLED发光层以及阴极导电层;OLED发光层的光线与色转换层发出的光色混合形成白光。然而,在该种发光器件中,该色转换层通常沉积在阳极导电层的背面,使整个器件的厚度较厚,不利于白光照明的轻薄化,并导致OLED发光层发出的光线必须经过阳极导电层后才能到达色转换层,而阳极导电层的电路设计将遮挡OLED发光层的出光,导致OLED开口率较小且出光性能较弱。

另外,色转换层通常由有机染料和荧光粉制成,在长时间的使用过程中,由上述材料制成的色转换层的光色稳定性差,且寿命较低。

发明内容

本申请提供了一种白光OLED发光器件,能够提高光色的稳定性和出光性能且能够延长使用寿命。

本发明提供了一种白光OLED发光器件,包括衬底、与所述衬底密封连接形成封装空间的封装层,以及容置于所述封装空间内并依次形成于所述衬底上的阳极导电层、蓝光发光层和阴极导电层;

白光OLED发光器件还包括设置于所述封装层与所述阴极导电层之间的量子点发光层;所述蓝光发光层发出蓝光并激发所述量子点发光层发光,且所述蓝光与所述量子点发光层发出的光色混合形成白光。

优选的,还包括设置于所述阴极导电层与所述量子点发光层之间的散射层。

优选的,所述量子点发光层包括至少一个由纳米晶粒形成的纳米发光层,且所述纳米晶粒的粒径范围为1nm-100nm。

优选的,所述纳米晶粒由金属、金属合金、金属氧化物、绝缘体和半导体材料中的至少一者制成。

优选的,所述纳米晶粒为单一材料结构,并所述纳米晶粒由CdS、CdZnS、ZnS或ZnTe制成;或

所述纳米晶粒为多材料的核壳结构,且所述纳米晶粒的材料为ZnTe/ZnS、InAs/CdSe/CdS、InP/ZnTe/ZnS、InP/ZnSe/ZnTe、InP/ZnSe/CdS、InP/ZnSe/ZnS、ZnTe/ZnSe/ZnS、ZnSe/ZnTe/ZnS、ZnSeTe/ZnTe/ZnS、CdSe/CdSSe/CdS、CdSe/CdS/CdZnS、CdSe/CdZnSe/CdZnS或CdSe/CdZnS/ZnS。

优选的,所述蓝光发光层包括至少一层发光主体层以及分别设置于所述发光主体层两侧的空穴传输层和电子传输层;所述空穴传输层设置于所述发光主体层靠近所述阳极导电层的一侧,所述电子传输层设置于所述发光主体层靠近所述阴极导电层的一侧。

优选的,所述蓝光发光层还包括空穴注入层和电子注入层;所述空穴注入层设置于所述阳极导电层与所述空穴传输层之间,所述电子注入层设置于所述阴极导电层与所述电子传输层之间。

优选的,所述发光主体层由热激发型延迟荧光材料制成,且所述热激发型延迟荧光材料的单线态和三线态能级差小于0.5eV。

优选的,所述热激发延迟荧光材料为PPZ-DPO、PPZ-3TPT、PPZ-4TPT、PPZ-DPS或PXZ-DPS、DMAC-DPS;其中,PPZ表示DMAC,5-苯基-5,10-二氢吩嗪,DPO表示2,5-二苯基二唑;3TPT表示3,4,5-三苯基三唑;4TPT表示2,3,4-三苯基-三唑化合物;DPS表示二苯基砜;PXZ表示吩⊥嗪;DMAC表示D=9,9-二甲基吖叮。

优选的,所述散射层的折射率大于1.5。

优选的,所述散射层的材料为三(8-羟基喹啉)铝、N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1’-联苯-4-4’-二胺、MgS和MgF2中的任意一者。

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