[发明专利]一种白光OLED发光器件

权利要求书

1.一种白光OLED发光器件，其特征在于，包括衬底、与所述衬底密封连接形成封装空间的封装层，以及容置于所述封装空间内并依次形成于所述衬底上的阳极导电层、蓝光发光层和阴极导电层；

白光OLED发光器件还包括设置于所述封装层与所述阴极导电层之间的量子点发光层；所述蓝光发光层发出蓝光并激发所述量子点发光层发光，且所述蓝光与所述量子点发光层发出的光色混合形成白光。

2.根据权利要求1所述的白光OLED发光器件，其特征在于，还包括设置于所述阴极导电层与所述量子点发光层之间的散射层。

3.根据权利要求1所述的白光OLED发光器件，其特征在于，所述量子点发光层包括至少一个由纳米晶粒形成的纳米发光层，且所述纳米晶粒的粒径范围为1nm-100nm。

4.根据权利要求3所述的白光OLED发光器件，其特征在于，所述纳米晶粒由金属、金属合金、金属氧化物、绝缘体和半导体材料中的至少一者制成。

5.根据权利要求4所述的白光OLED发光器件，其特征在于，所述纳米晶粒为单一材料结构，并由CdS、CdZnS、ZnS或ZnTe制成；或

所述纳米晶粒为核壳结构，且所述纳米晶粒的材料为ZnTe/ZnS、InAs/CdSe/CdS、InP/ZnTe/ZnS、InP/ZnSe/ZnTe、InP/ZnSe/CdS、InP/ZnSe/ZnS、ZnTe/ZnSe/ZnS、ZnSe/ZnTe/ZnS、ZnSeTe/ZnTe/ZnS、CdSe/CdSSe/CdS、CdSe/CdS/CdZnS、CdSe/CdZnSe/CdZnS或CdSe/CdZnS/ZnS。

6.根据权利要求1所述的白光OLED发光器件，其特征在于，所述蓝光发光层包括至少一层发光主体层以及分别设置于所述发光主体层两侧的空穴传输层和电子传输层；所述空穴传输层设置于所述发光主体层靠近所述阳极导电层的一侧，所述电子传输层设置于所述发光主体层靠近所述阴极导电层的一侧。

7.根据权利要求6所述的白光OLED发光器件，其特征在于，所述蓝光发光层还包括空穴注入层和电子注入层；所述空穴注入层设置于所述阳极导电层与所述空穴传输层之间，所述电子注入层设置于所述阴极导电层与所述电子传输层之间。

8.根据权利要求6或7所述的OLED结构，其特征在于，所述发光主体层由热激发型延迟荧光材料制成，且所述热激发型延迟荧光材料的单线态和三线态能级差小于0.5eV。

9.根据权利要求8所述的白光OLED发光器件，其特征在于，所述热激发延迟荧光材料为PPZ-DPO、PPZ-3TPT、PPZ-4TPT、PPZ-DPS或PXZ-DPS、DMAC-DPS；其中，PPZ表示DMAC，5-苯基-5，10-二氢吩嗪，DPO表示2，5-二苯基二唑；3TPT表示3，4，5-三苯基三唑；4TPT表示2，3，4-三苯基-三唑化合物；DPS表示二苯基砜；PXZ表示吩嗪；DMAC表示D＝9，9-二甲基吖叮。

10.根据权利要求2所述的白光OLED发光器件，其特征在于，所述散射层的折射率大于1.5。

11.根据权利要求10所述的白光OLED发光器件，其特征在于，所述散射层的材料为三(8-羟基喹啉)铝、N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-联苯-4-4’-二胺、MgS和MgF₂中的任意一者。

12.根据权利要求2所述的白光OLED发光器件，其特征在于，所述封装层包括密封接合的第一密封部和第二密封部，所述第一密封部包括中间部分和分别从所述中间部分的两端朝向所述衬底延伸的侧部分，所述第二密封部分别从所述中间部分两端的所述侧部分对应延伸至所述衬底，所述中间部分正对所述散射层。

13.根据权利要求12所述的白光OLED发光器件，其特征在于，所述量子点发光层沉积于所述中间部分上；或

所述量子点发光层沉积于所述散射层上。

14.根据权利要求12所述的白光OLED发光器件，其特征在于，所述第一密封部由玻璃、透明金属、透明塑料或薄膜封装层制成；所述第二密封部由玻璃、透明金属、透明塑料、薄膜封装层、紫外固化胶或热固化胶制成。