[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

顺序堆叠在衬底上的多个沟道，所述多个沟道在垂直于所述衬底的顶面的第一方向上彼此间隔开；

位于所述多个沟道的在平行于所述衬底的所述顶面的第二方向上的彼此相反的侧的源极/漏极层，所述源极/漏极层连接到所述多个沟道；以及

包围所述多个沟道的栅结构，其中所述多个沟道具有不同的在所述第二方向上的长度以及不同的在所述第一方向上的厚度，

其中所述多个沟道的所述长度在预定的方向上增大，并且所述多个沟道的所述厚度在所述预定的方向上增大。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个沟道的在所述第一方向上的所述厚度与所述多个沟道的在所述第二方向上的所述长度成比例关系。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中：

所述多个沟道的最上部沟道和最下部沟道中的每个的在所述第二方向上的长度大于所述多个沟道的中间沟道的在所述第二方向上的长度，以及

所述多个沟道的所述最上部沟道和所述最下部沟道中的每个的在所述第一方向上的厚度大于所述多个沟道的所述中间沟道的在所述第一方向上的厚度。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述源极/漏极层中的每个包括：

在所述衬底上的外延层；以及

在所述第二方向上从所述外延层延伸并且分别连接到所述多个沟道的延伸部分。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述延伸部分包括：

与所述多个沟道相同的材料，以及

与所述外延层相同的杂质。

6.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述外延层和所述延伸部分包括不同的材料和相同的杂质。

7.如权利要求4所述的半导体器件，其中：

所述外延层具有沿所述第一方向的垂直的侧壁，以及

所述延伸部分具有在向下的方向上逐渐减小的在所述第二方向上的长度。

8.如权利要求4所述的半导体器件，其中：

所述外延层具有在预定的方向上逐渐减小的在所述第二方向上的宽度，以及

所述延伸部分具有恒定的在所述第二方向上的长度。

9.如权利要求4所述的半导体器件，其中：

所述外延层在中间部分相比在上部分或在下部分具有更大的在所述第二方向上的宽度，以及

所述延伸部分具有恒定的在所述第二方向上的长度。

10.如权利要求4所述的半导体器件，还包括：

在所述栅结构与所述外延层之间的内间隔物。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述栅结构包括：

包围所述多个沟道中的每一个的栅绝缘图案；以及

被所述栅绝缘图案至少部分地覆盖的栅电极，所述栅电极在平行于所述衬底的所述顶面且垂直于所述第二方向的第三方向上延伸。

12.一种半导体器件，包括：

在衬底上的一对第一半导体图案，所述对第一半导体图案在平行于所述衬底的顶面的第一方向上彼此间隔开；

在所述对第一半导体图案之间并且连接到所述对第一半导体图案的多个第二半导体图案，所述多个第二半导体图案在垂直于所述衬底的所述顶面的第二方向上彼此间隔开；以及

在所述对第一半导体图案之间并且覆盖所述第二半导体图案的栅结构，其中所述第二半导体图案中的每一个包括在所述第一方向上的末端部分之间的中心部分，所述第二半导体图案的所述末端部分包括与所述对第一半导体图案相同的杂质，以及所述第二半导体图案的所述中心部分具有彼此不同的长度和彼此不同的厚度，

其中所述第二半导体图案的所述中心部分的所述长度在预定的方向上增大，并且所述第二半导体图案的所述中心部分的所述厚度在所述预定的方向上增大。