[发明专利]一种阴离子调控的8‑羟基喹啉金属配合物四聚晶体及其制备方法

说明书

本申请属于金属配合物领域，具体涉及一种阴离子调控的8‑羟基喹啉金属配合物四聚晶体及其制备方法。本发明所提供的阴离子调控的8‑羟基喹啉金属配合物四聚晶体，其化学结构如式(I)所示，具有较高的发光强度、良好的热稳定性以及较长的荧光寿命，在有机发光材料的制备上存在很大的应用潜能，也可用于研究不同阴离子对其配位构型以及发光性能的影响。此外，本发明所提供的金属配合物四聚晶体原料成本低廉，来源广泛，设备简单，工艺优化，可实现大规模的生产，具有广阔的发展前景。

技术领域

本发明属于金属配合物领域，具体涉及一种阴离子调控的8-羟基喹啉金属配合物四聚晶体及其制备方法。

背景技术

有机金属配合物是化学领域的研究热点之一，其在有机发光材料、催化、金属荧光探针、气体吸附等领域的应用研究也备受关注。自1987年美国柯达公司的C.W.Tang及其合作者以8-羟基喹啉铝(Alq₃)作为发光层制作有机电致发光器件(OLED)以来，人们就希望在Alq3结构的基础上做进一步地修饰，以得到不亚于其性能的发光材料。经过20多年来学术界和产业界对OLED的的深入研究，人们已经获得了许多的研究成果，而且小尺寸的OLED显示屏不断涌现，并开始广泛应用于电视、MP₃、车载显示器等电子产品中。

然而，目前应用于制备OLED的发光材料仍存在许多问题：1)荧光效率低；2)制备成本高，目前的发光器件的制备主要采用真空蒸镀或旋涂成膜的方法，对设备的要求较高，也要求发光材料具有很好的可溶性和成膜性；3)发光材料仍处于研究探索阶段，理论指导性材料匮乏。因此，研发一种荧光效率高的发光材料是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

目前报道的影响有机金属化合物荧光性能的因素有配体、金属离子、配位结构、pH值等，但在阴离子参与的配合物中，阴离子对其发光性能的有何影响的研究比较匮乏。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种阴离子调控的8-羟基喹啉金属配合物四聚晶体及其制备方法，本发明所提供的8-羟基喹啉金属配合物四聚晶体具有较高的发光强度、良好的热稳定性以及较长的荧光寿命等优点。

本发明的具体技术方案如下：

本发明提供了一种阴离子调控的8-羟基喹啉金属配合物四聚晶体，其结构如通式Ⅰ所示：

其中，M选自Cd或Zn；

R选自AcO、I或NO₃。

优选的，所述8-羟基喹啉金属配合物四聚晶体为：

优选的，如式Ⅰa所示的8-羟基喹啉镉配合物四聚晶体的结构参数为：空间群为P2₁/c，Z＝2，α＝90°，β＝99.090(2)°，γ＝90°；

如式Ⅰb所示的8-羟基喹啉镉配合物四聚晶体的结构参数为：空间群为P-1，Z＝2，α＝89.802(2)°，β＝82.238(2)°，γ＝74.6920(10)°；

如式Ⅰc所示的8-羟基喹啉锌配合物四聚晶体的结构参数为：空间群为C2/c，Z＝4，α＝90°，β＝91.548(3)°，γ＝90°。

本发明还提供了一种上述8-羟基喹啉金属配合物四聚晶体的制备方法，包括：

a)将2-甲基-8-羟基喹啉和2,3-甲氧基苯甲醛在反应溶剂中进行反应，得到反应中间体；

b)将步骤a)得到的反应中间体依次与吡啶、水进行反应，得到配体；

c)将步骤b)得到的配体和金属盐在反应溶剂中进行反应，得到所述8-羟基喹啉金属配合物四聚晶体。

优选的，步骤a)中所述反应溶剂为乙酸酐；