[发明专利]外延晶圆的制造方法及外延晶圆

权利要求书

1.一种外延晶圆的制造方法，所述外延晶圆能够发挥由结晶缺陷带来的吸杂能力且外延层表面的缺陷密度为10²个/cm²以下，该外延晶圆的制造方法的特征在于，具备：

单晶硅生长工序，通过切克劳斯基单晶提拉法生长掺杂有10¹¹atoms/cm³～4.5×10¹⁵atoms/cm³的氮的单晶硅；

单晶硅切取工序，从所述单晶硅切取硅晶圆；及

外延层形成工序，以上述硅晶圆为基板，通过气相生长在所述基板上形成单晶硅层即外延层，

在所述外延层形成工序中，所述外延层在1050℃至1200℃的范围内形成，

掺杂于在所述单晶硅生长工序中生长的所述单晶硅中的氮量为10¹¹atoms/cm³～10¹³atoms/cm³，

所述结晶缺陷为因导入于所述单晶硅的空孔引起的硅结晶诱起表面缺陷即COP缺陷，

所述基板上的所述COP缺陷的密度在整个所述基板中为10个/cm²以上。

2.根据权利要求1所述的外延晶圆的制造方法，其特征在于，

掺杂于在所述单晶硅生长工序中生长的所述单晶硅中的氮量为10¹³atoms/cm³～4.5×10¹⁵atoms/cm³，

所述外延晶圆的制造方法还具备在700℃～1200℃下对所述硅晶圆进行30分钟～20小时的热氧化处理的工序，

所述结晶缺陷为导入到所述单晶硅的晶格间硅通过所述热氧化处理被氧化而形成的氧化诱生层错，

所述基板上的所述氧化诱生层错的密度在整个所述基板中为10²个/cm²以上。

3.根据权利要求2所述的外延晶圆的制造方法，其特征在于，

所述单晶硅生长工序中，在所述单晶硅中还掺杂有0.01×10¹⁶atoms/cm³～5×10¹⁶atoms/cm³的碳。

4.根据权利要求2或3所述的外延晶圆的制造方法，其特征在于，

所述单晶硅的氧浓度在2×10¹⁷atoms/cm³～15×10¹⁷atoms/cm³的范围内。

5.根据权利要求1所述的外延晶圆的制造方法，其特征在于，

所述单晶硅生长工序中，在所述单晶硅中还掺杂有0.01×10¹⁶atoms/cm³～5×10¹⁶atoms/cm³的碳。

6.根据权利要求1或5所述的外延晶圆的制造方法，其特征在于，

所述单晶硅的氧浓度在11×10¹⁷atoms/cm³～13.5×10¹⁷atoms/cm³的范围内。

7.一种外延晶圆，通过权利要求1至6中任一项所述的外延晶圆的制造方法而制造，所述外延晶圆的特征在于，所述外延晶圆的直径为200mm～450mm。

8.根据权利要求7所述的外延晶圆，其特征在于，

所述外延晶圆的直径为300mm～450mm。