[发明专利]石墨烯导热硅胶垫的制备方法有效
申请号: | 201710113072.0 | 申请日: | 2017-02-28 |
公开(公告)号: | CN106832961B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 叶恩洲;林菊香;黄裔裔;焦伟棋;张新庆;陈文冰 | 申请(专利权)人: | 深圳市大族元亨光电股份有限公司 |
主分类号: | C08L83/07 | 分类号: | C08L83/07;C08L83/05;C08K13/06;C08K9/06;C08K9/04;C08K3/22;C08K3/04;C08K5/05;C08K5/5425;C08K3/08;C08K5/50;C08K3/38;C09K5/14;C01 |
代理公司: | 44414 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张全文<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨 导热 硅胶 制备 方法 | ||
1.一种石墨烯导热硅胶垫的制备方法,包括以下步骤:
提供金属箔片,采用化学气相沉积法在所述金属箔片表面生长单层石墨烯薄膜,得到石墨烯薄膜/金属箔片,其中,采用化学气相沉积法在所述金属箔片表面生长单层石墨烯薄膜的方法为:将所述金属箔片置于化学气相沉积炉中,在1000-1050℃、0.1-5Pa下通入甲烷与氢气,生长5-20min,得到石墨烯薄膜/金属箔片;
制备偶联剂改性的导热填料,将所述偶联剂改性的导热填料、乙烯基硅油、含氢硅油﹑抑制剂和催化剂混合形成混合物料,过辊处理后,在加热条件下压片,制备导热硅胶垫;
将所述石墨烯薄膜/金属箔片的石墨烯表面与热释放胶带贴合,将所述石墨烯薄膜/金属箔片置于刻蚀液中直至所述金属箔片完全溶解,得到石墨烯薄膜/热释放胶带;将所述石墨烯薄膜/热释放胶带用去离子水进行漂洗、干燥后,将所述石墨烯薄膜/热释放胶带粘有石墨烯薄膜的表面与所述导热硅胶垫贴合,并移除所述热释放胶带,得到石墨烯导热硅胶垫。
2.如权利要求1所述的石墨烯导热硅胶垫的制备方法,其特征在于,将所述石墨烯薄膜/热释放胶带粘有石墨烯薄膜的表面与所述导热硅胶垫贴合的步骤中,将所述石墨烯薄膜/热释放胶带粘有石墨烯薄膜的表面与所述导热硅胶垫经覆膜机在90-150℃进行贴合。
3.如权利要求1所述的石墨烯导热硅胶垫的制备方法,其特征在于,将所述偶联剂改性的导热填料、乙烯基硅油、含氢硅油﹑抑制剂和催化剂混合形成混合物料的步骤中,所述混合物料中各组分的重量份数如下:
形成所述混合物料的方法为,将上述各组分通过行星式搅拌机在转速1500-2000r/min下混合1-5min。
4.如权利要求3所述的石墨烯导热硅胶垫的制备方法,其特征在于,所述抑制剂为1-乙炔基-1-环己醇、3-甲基-1-戊炔-3-醇、3-苯基-1-丁炔-3-醇以及甲基乙烯基环四硅氧烷中的至少一种;和/或
所述催化剂为铂-乙烯基硅氧烷配合物、炔基-环二烯炔基-铂配合物以及炔基-三苯基膦-铂配合物中的至少一种。
5.如权利要求1-4任一所述的石墨烯导热硅胶垫的制备方法,其特征在于,所述偶联剂改性的导热填料的制备原料为:
所述偶联剂改性的导热填料的制备方法为:将所述导热填料与所述有机溶剂混合后,加入所述第一去离子水和所述偶联剂,然后在搅拌条件下加入所述盐酸,持续搅拌4-24h,抽滤水洗,加入所述第二去离子水进行分散处理后,进行喷雾干燥,其中,搅拌转速为300-800rpm/min。
6.如权利要求5所述的石墨烯导热硅胶垫的制备方法,其特征在于,所述导热填料为三氧化二铝﹑氧化锌﹑六方氮化硼﹑金属铜粉﹑金属铝粉或石墨烯粉体中的至少一种,和/或
所述偶联剂为γ-氨丙基三乙氧基硅烷﹑γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷﹑γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷或异丙基三(二辛基焦磷酸酰氧基)钛酸酯中的至少一种,和/或
所述有机溶剂为乙醇、丙醇﹑四氢呋喃﹑N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的至少一种。
7.如权利要求1所述的石墨烯导热硅胶垫的制备方法,其特征在于,制备所述导热硅胶垫的步骤中,所述加热条件为100-150℃。
8.如权利要求7所述的石墨烯导热硅胶垫的制备方法,其特征在于,所述金属箔片为金属铜或金属镍,所述甲烷的流量为5-30sccm,所述氢气的流量为10-50sccm。
9.如权利要求1-4任一所述的石墨烯导热硅胶垫的制备方法,其特征在于,所述刻蚀液为过硫酸铵水溶液或硝酸溶液中的至少一种,且所述过硫酸铵水溶液或硝酸溶液的浓度为0.5-2mol/mL。
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