[发明专利]氯硅化物的纯化方法和纯化系统

权利要求书

1.一种氯硅化物的纯化方法，所述氯硅化物为含有硼磷杂质的二氯二氢硅、三氯氢硅或四氯化硅，其特征在于，所述纯化方法包括：

步骤S1，对氯硅化物进行第一次精馏，得到精馏液相氯硅化物；

步骤S2，利用吸附剂对所述精馏液相氯硅化物进行处理，得到吸附后液相氯硅化物，其中，所述吸附剂具有自由水或结晶水，所述自由水或所述结晶水与所述硼磷杂质发生水解反应生成高沸物，部分所述高沸物存在于所述吸附后液相氯硅化物中；以及

步骤S3，对所述吸附后液相氯硅化物进行第二次精馏，得到纯化的氯硅化物。

2.根据权利要求1所述的纯化方法，其特征在于，所述自由水或所述结晶水在所述吸附剂中的重量含量为2～10％。

3.根据权利要求1所述的纯化方法，其特征在于，所述吸附剂为具有自由水的多孔硅胶，或所述吸附剂为水合氧化物，优选所述水合氧化物为水合氧化铝和水合氧化铁。

4.根据权利要求1所述的纯化方法，其特征在于，所述步骤S2在吸附反应装置中进行，所述吸附剂设置在所述吸附反应装置的填料床中，优选所述吸附反应装置的长径比为10～20:1。

5.根据权利要求4所述的纯化方法，其特征在于，所述步骤S2进行过程中，所述吸附反应装置内压力为5～50KPa、温度为10～50℃。

6.根据权利要求1所述的纯化方法，其特征在于，所述步骤S1在第一精馏装置中进行，且在所述步骤S1进行过程中，控制所述第一精馏装置的压力为0.05～0.3MPa、温度为45～65℃。

7.根据权利要求1所述的纯化方法，其特征在于，所述步骤S3在第二精馏装置中进行，且在所述步骤S3进行过程中，控制所述第二精馏装置的压力为0.05～0.3MPa、温度为45～65℃。

8.根据权利要求1所述的纯化方法，其特征在于，所述纯化方法还包括在所述步骤S3之前，对所述吸附后液相氯硅化物进行过滤的过程，优选所述过滤包括两级串联过滤过程，且各级过滤的过滤精度为300～1000目。

9.一种氯硅化物的纯化系统，所述氯硅化物为含有硼磷杂质的二氯二氢硅、三氯氢硅或四氯化硅，其特征在于，所述纯化系统包括：

第一精馏单元(10)，具有第一液体入口和底部液体出口；

吸附反应单元(20)，具有底部液体进口、顶部液体出口和填料床，所述底部液体进口和所述底部液体出口相连，所述填料床中设置有吸附剂，所述吸附剂具有自由水或结晶水；以及

第二精馏单元(40)，具有第二液体入口，所述第二液体入口和所述顶部液体出口相连。

10.根据权利要求9所述的纯化系统，其特征在于，所述自由水或所述结晶水在所述吸附剂中的重量含量为2～10％。

11.根据权利要求9所述的纯化系统，其特征在于，所述吸附剂具有自由水的多孔硅胶，或所述吸附剂为水合氧化物，优选所述水合氧化物为水合氧化铝或水合氧化铁。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的纯化系统，其特征在于，所述吸附反应单元(20)包括并联设置的第一吸附反应装置(21)和第二吸附反应装置(22)，且所述第一吸附反应装置(21)和所述第二吸附反应装置(22)各自具有所述底部液体进口、所述顶部液体出口和所述填料床。

13.根据权利要求12所述的纯化系统，其特征在于，所述第一吸附反应装置(21)和所述第二吸附反应装置(22)的长径比各自独立地为10～20:1。

14.根据权利要求12所述的纯化系统，其特征在于，所述纯化系统还包括过滤装置(30)，设置在所述第二液体入口和所述顶部液体出口之间的管线上。

15.根据权利要求14所述的纯化系统，其特征在于，所述过滤装置(30)的过滤级数为两级，优选各所述过滤装置的过滤精度为300～1000目。